[发明专利]一种孔隙率可控多孔硅的绿色的制备方法及其应用在审
| 申请号： | 202110205124.3 | 申请日： | 2021-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN113003577A | 公开（公告）日： | 2021-06-22 |
| 发明（设计）人： | 冯金奎;安永灵;田园 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | C01B33/021 | 分类号： | C01B33/021;H01G11/24;H01G11/30;H01M4/38 |
| 代理公司： | 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 | 代理人： | 王志坤 |
| 地址： | 250061 山东*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 孔隙率 可控 多孔 绿色 制备 方法 及其 应用 | ||
1.一种孔隙率可控多孔硅的绿色的制备方法，其特征是，包括：
步骤(1)：将硅化镁合金置于氮气或氨气气氛中进行热处理；
步骤(2)：再经惰性气氛保护高温处理或低压低温处理得到多孔硅。
2.如权利要求1所述的一种孔隙率可控多孔硅的绿色的制备方法，其特征是，步骤(1)中，选择氨气进行热处理。
3.如权利要求1所述的一种孔隙率可控多孔硅的绿色的制备方法，其特征是，所述步骤(1)中，热处理的温度为700℃～850℃。
4.如权利要求3所述的一种孔隙率可控多孔硅的绿色的制备方法，其特征是，热处理温度为800℃。
5.如权利要求1所述的一种孔隙率可控多孔硅的绿色的制备方法，其特征是，所述步骤(1)中，热处理的时间为1h～4h。
6.如权利要求5所述的一种孔隙率可控多孔硅的绿色的制备方法，其特征是，热处理的时间为2h。
7.如权利要求1所述的一种孔隙率可控多孔硅的绿色的制备方法，其特征是，所述步骤(2)中，惰性气氛选自氮气、氨气、氩气中的一种或两种以上。
8.如权利要求1所述的一种孔隙率可控多孔硅的绿色的制备方法，其特征是，所述步骤(2)中，惰性气氛保护高温处理时，处理温度为900℃～1200℃，优选的，为1000。
9.如权利要求1所述的一种孔隙率可控多孔硅的绿色的制备方法，其特征是，所述步骤(2)中，惰性气氛保护高温处理时，处理时间为0.1h-2h；优选的，为0.5h；
或，所述步骤(2)中，低压低温处理的温度是700℃～900℃；优选的，为800℃；
或，所述步骤(2)中，低压低温处理的时间为0.1h～2h，优选的，为0.5h。
10.权利要求1-9任一项所述的一种孔隙率可控多孔硅的绿色的制备方法和/或该方法制备的多孔硅在多孔硅在电池、超级电容器中的应用，不同孔隙率的多孔硅可满足不同领域的需要。
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