[发明专利]存储器器件及动态误差监视和修复的方法

说明书

一种存储器器件包含：存储单元阵列，包括多个存储单元，多个存储单元包括包含第一数据存储单元的多个数据存储单元和包含第一备份存储单元的多个备份存储单元；存储装置，存储配置成记录多个数据存储单元中的误差的误差表，误差表包含多个误差表条目，每一误差表条目对应于多个数据存储单元中的一个且具有地址和故障计数；以及控制器，配置成基于误差表用第一备份存储单元替换第一数据存储单元。

技术领域

在本发明的实施例中阐述的技术大体来说涉及存储器器件，且更具体来说，涉及存储器器件及动态误差监视和修复的方法。

背景技术

存储器器件用于在半导体器件和系统中存储信息。非易失性存储器器件即使在切断电源之后也能够保留数据。非易失性存储器器件的实例包含闪速存储器、铁电随机存取存储器(ferroelectric random access memory,FRAM)、磁性随机存取存储器(magneticrandom access memory,MRAM)、电阻式随机存取存储器(resistive random accessmemory,RRAM)以及相变存储器(phase-change memory,PCM)。MRAM、RRAM、FRAM以及PCM有时被称为新出现的存储器器件。

发明内容

本发明实施例提供一种存储器器件，包括：存储单元阵列，包括多个存储单元，所述多个存储单元包括包含第一数据存储单元的多个数据存储单元以及包含第一备份存储单元的多个备份存储单元；存储装置，存储配置成记录与所述多个数据存储单元相关联的误差的误差表，所述误差表包含多个误差表条目，每一误差表条目对应于所述多个数据存储单元中的一个且具有地址和故障计数；以及控制器，配置成基于所述误差表用所述第一备份存储单元替换所述第一数据存储单元。

本发明实施例提供一种存储器器件，包括：存储单元阵列，包括多个存储单元，所述多个存储单元包括多个数据存储单元和M个备份存储单元，M是大于一的整数；存储装置，存储修复表，其中所述修复表包含对应于由所述M个备份存储单元替换的M个数据存储单元的M个修复表条目，每一修复表条目具有地址和故障计数；以及控制器，配置成：更新所述修复表以产生更新的修复表；以及基于所述更新的修复表用所述M个备份存储单元中的至少一个替换所述M个数据存储单元中的至少一个。

本发明实施例提供一种动态误差监视和修复的方法，包括：提供包括多个存储单元的存储单元阵列，所述多个存储单元包括多个数据存储单元和多个备份存储单元；通过误差校正码电路检测所述多个数据存储单元中的误差；产生误差表，所述误差表包含多个误差表条目，每一误差表条目对应于所述多个数据存储单元中的一个且具有地址和故障计数；以及基于所述误差表，用所述多个备份存储单元当中的第一备份存储单元替换所述多个数据存储单元当中的第一数据存储单元。

附图说明

当结合附图阅读时从以下详细描述最好地理解本公开的方面。应注意，根据业界中的标准惯例，各个特征未按比例绘制。实际上，为了论述清楚起见，可任意增大或减小各个特征的尺寸。另外，图式作为本发明的实施例的实例是说明性的且并不希望是限制性的。

图1是示出根据一些实施例的并入动态误差监视和修复的实例存储器器件的框图。

图2是根据一些实施例的实例误差表。

图3是示出根据一些实施例的更新误差表的方法的流程图。

图4是示出根据一些实施例的动态误差监视和修复的方法的流程图。

图5A是示出根据一些实施例的在任何替换之前具有动态误差监视和修复的存储单元阵列的示意图。

图5B是示出根据一些实施例的在实施图4的方法之后的图5A的存储单元阵列的示意图。

图6A是根据一些实施例的修复表。

图6B是根据一些实施例的另一修复表。

图6C是根据一些实施例的又一修复表。