[发明专利]一种用于片式薄膜电阻的失效定位方法和装置

说明书

本发明涉及一种用于片式薄膜电阻的失效定位方法和装置，涉及元器件失效分析技术领域，用于解决在查找片式薄膜电阻缺陷时，研磨控制不当导致的整个失效分析试验失败的问题，所述方法包括：确定电阻的失效模式，所述失效模式为开路、参数漂移或短路中的任一个；获取电阻膜的图像数据；根据所述失效模式和所述图像数据，确定电阻膜的缺陷和疑似缺陷；根据所述疑似缺陷，确定切片位置；根据所述切片位置，制备得到所述电阻的金相切片，并对所述金相切片进行检测。本发明实施例提供的技术方案能够避免研磨过程中缺陷消失或部分消失，并通过控制研磨时间提高检测效率。

技术领域

本发明涉及元器件失效分析技术领域，尤其涉及一种用于片式薄膜电阻的失效定位方法和装置。

背景技术

片式薄膜型电阻是在混合电路小型化和智能化发展的需求上应运而生的产物，是在矩形的Al₂O₃基片上，涂敷氧化钌、镍铬合金等电阻层，两端制成Ag/Ni/Sn-Pb等与外部相连的端电极的结构。薄膜电阻的基体为Al₂O₃陶瓷基体，电阻层表面有一层保护层：玻璃釉，玻璃釉上为树脂等二层保护层。

陶瓷材料是在650℃左右高温烧结而成，玻璃釉材料要在更高的温度下还原成型，所以这两种封装材料没有较好的去除方法，目前在国内检测机构中对片式薄膜电阻进行缺陷定位主要是采用制样镜检的方法，要对样品进行制备、研磨以找到准确的失效部位，然而一旦研磨压力过大或研磨时间过长，将可能破坏失效点。这种盲目的研磨，很容易因研磨控制不当导致整个失效分析试验失败。

发明内容

鉴于上述的分析，本发明旨在提出一种用于片式薄膜电阻的失效定位方法和装置，以提高检测效率。

本发明的目的主要是通过以下技术方案实现的：

第一方面，本发明实施例提供了一种用于片式薄膜电阻的失效定位方法，包括：

确定电阻的失效模式，所述失效模式为开路、参数漂移或短路中的任一个；

获取电阻膜的图像数据；

根据所述失效模式和所述图像数据，确定电阻膜的缺陷和疑似缺陷；

根据所述疑似缺陷，确定切片位置；

根据所述切片位置，制备得到所述电阻的金相切片，并对所述金相切片进行检测。

进一步地，除去样品表面的外层保护层，并利用显微镜对除去外层保护层的电阻进行观测，得到第一图像数据和第二图像数据；

所述第一图像数据为所述失效模式对应的特征图像，用于表征电阻膜烧毁、明显的电阻膜缺损或脱落、电阻膜与表电极有明显断开中的一个或多个；所述第二图像数据为所述疑似缺陷对应的特征图像，用于表征电阻膜上有异物、电阻膜上疑似腐蚀、电阻膜上疑似银迁移、电阻膜疑似退化以及电阻膜变色中的一个或多个。

进一步地，利用刀片刮去所述外层保护层。

进一步地，根据所述失效模式和所述第一图像数据，确定所述电阻膜的缺陷；

根据所述失效模式和所述第二图像数据，确定所述电阻膜的疑似缺陷。

进一步地，将所述电阻灌封于环氧树脂内，所述环氧树脂呈无色透明状；

根据所述切片位置，切割所述灌封后的电阻并避开所述疑似缺陷；对所述疑似缺陷对应的切割面抛光，得到所述金相切片。

进一步地，根据所述疑似缺陷，确定研磨距离；

根据所述研磨距离，确定所述切片位置。

进一步地，将所述电阻灌封于环氧树脂内，所述环氧树脂为无色透明；根据所述切片位置，切割所述灌封后的电阻并避开所述疑似缺陷；