[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制作方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：

提供衬底基板(11)；

在所述衬底基板(11)上形成第一绝缘层(13)；

在所述第一绝缘层(13)上形成钝化层薄膜(140)，对所述钝化层薄膜(140)进行蚀刻形成具有棱镜结构的第一钝化层(14)；

在所述第一绝缘层(13)上形成覆盖所述第一钝化层(14)的平坦化层(15)；

在所述平坦化层(15)上形成第二绝缘层(16)；

在所述第二绝缘层(16)上形成第一金属薄膜；

在所述第一金属薄膜上涂布光阻(24)并对所述光阻(24)进行曝光和显影，以留下的光阻(24)作为遮罩对所述第一金属薄膜进行蚀刻制作第一金属层，且光阻(24)继续覆盖在所述第一金属层上；

继续利用光阻(24)作为遮罩对所述第二绝缘层(16)进行蚀刻，以去除未被光阻(24)覆盖的所述第二绝缘层(16)，使未被光阻(24)覆盖的所述平坦化层(15)露出；

去除光阻(24)以露出所述第一金属层，其中所述第一金属层包括栅极(17)和扫描线。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，还包括：

在露出的所述平坦化层(15)上形成覆盖所述栅极(17)和所述扫描线的栅极绝缘层(18)；

在所述栅极绝缘层(18)上形成有源层薄膜，对所述有源层薄膜进行蚀刻制作有源层(19)；

在所述栅极绝缘层(18)上形成第一氧化物导电层，对所述第一氧化物导电层进行蚀刻制作像素电极(20)；

在所述栅极绝缘层(18)上形成第二金属薄膜，对所述第二金属薄膜进行蚀刻制作第二金属层，所述第二金属层包括源极(211)、漏极(212)和数据线，所述源极(211)和所述漏极(212)分别与所述有源层(19)连接，且所述源极(211)与所述数据线连接，所述漏极(212)与所述像素电极(20)连接。

3.如权利要求2所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，还包括：

在所述栅极绝缘层(18)上形成覆盖所述第二金属层、所述像素电极(20)和所述有源层(19)的第二钝化层(22)；

在所述第二钝化层(22)上形成第二氧化物导电层，对所述第二氧化物导电层进行蚀刻制作公共电极(23)。

4.如权利要求3所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，还包括：

在所述衬底基板(11)上形成所述第一绝缘层(13)之前，先在所述衬底基板(11)上形成外围线路金属薄膜，对所述外围线路金属薄膜进行蚀刻制作外围线路金属层，所述外围线路金属层包括公共电极配线层(12)；

在所述栅极绝缘层(18)上形成所述第二钝化层(22)之后，先在所述公共电极配线层(12)的上方区域通过蚀刻形成通孔(181)，然后在所述第二钝化层(22)上形成所述第二氧化物导电层，再对所述第二氧化物导电层进行蚀刻制作所述公共电极(23)，所述公共电极(23)填入所述通孔(181)内并与所述公共电极配线层(12)连接。

5.如权利要求1-4任一项所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第一绝缘层(13)的材质为氮氧化硅或氧化硅，所述第一钝化层(14)的材质为氮化硅。

6.一种薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，包括：

衬底基板(11)；

形成在所述衬底基板(11)上的第一绝缘层(13)；

形成在所述第一绝缘层(13)上的第一钝化层(14)，所述第一钝化层(14)具有棱镜结构；

形成在所述第一绝缘层(13)上且覆盖所述第一钝化层(14)的平坦化层(15)；

形成在所述平坦化层(15)上的第二绝缘层(16)；

形成在所述第二绝缘层(16)上的第一金属层，其中所述第一金属层包括栅极(17)和扫描线，所述第二绝缘层(16)和所述第一金属层具有相同的图案化结构且上下相互层叠。