[发明专利]源极/漏极区具有外延半导体材料区段的晶体管

权利要求书

1.一种用于场效应晶体管的结构，该结构包括：

半导体本体；

第一栅极结构，延伸于该半导体本体上方；

第二栅极结构，延伸于该半导体本体上方；以及

第一源极/漏极区，横向位于该第一栅极结构与该第二栅极结构之间，该第一源极/漏极区包括具有第一区段、第二区段以及第三区段的第一半导体层，

其中，该半导体本体包括第一部分及第二部分，该半导体本体的该第一部分位于该第一半导体层的该第一区段与该第一半导体层的该第二区段之间，且该半导体本体的该第二部分位于该第一半导体层的该第二区段与该第一半导体层的该第三区段之间。

2.如权利要求1所述的结构，其中，该半导体本体包括第一腔体、第二腔体、以及第三腔体，该第一半导体层的该第一区段位于该第一腔体中，该第一半导体层的该第二区段位于该第二腔体中，以及该第一半导体层的该第三区段位于该第三腔体中。

3.如权利要求2所述的结构，其中，位于该第二腔体中的该第一半导体层的该第二区段与该半导体本体的该第二部分直接接触，并与该半导体本体的该第一部分直接接触。

4.如权利要求3所述的结构，其中，位于该第一腔体中的该第一半导体层的该第一区段与该半导体本体的该第一部分直接接触，且位于该第三腔体中的该第一半导体层的该第三区段与该半导体本体的该第二部分直接接触。

5.如权利要求2所述的结构，其中，该半导体本体为半导体鳍片。

6.如权利要求2所述的结构，其中，该半导体本体具有顶部表面，且该第一半导体层的该第一区段、该第二区段、以及该第三区段包括在该半导体本体的该顶部表面上方合并的各自的部分。

7.如权利要求1所述的结构，其中，该半导体本体的该第一部分包括含有第一掺杂物的第一掺杂区，该半导体本体的该第二部分包括含有该第一掺杂物的第二掺杂区，且该第一掺杂区与该第二掺杂区具有基本上相同的厚度。

8.如权利要求1所述的结构，其中，该半导体本体具有顶部表面，且还包括：

第二层，具有位于该半导体本体的该第一部分上方的该半导体本体的该顶部表面上的第一部分以及位于该半导体本体的该第二部分上方的该半导体本体的该顶部表面上的第二部分。

9.如权利要求8所述的结构，其中，该第一半导体层的该第一区段、该第二区段、以及该第三区段包括在该半导体本体的该顶部表面、该第二层的该第一部分、以及该第二层的该第二部分上方合并的各自的部分。

10.如权利要求8所述的结构，其中，该第二层由金属组成。

11.如权利要求8所述的结构，其中，该第二层的该第一部分及该第二部分直接位于该半导体本体的该顶部表面上。

12.如权利要求1所述的结构，还包括：

半导体衬底，

其中，该半导体本体是从该半导体衬底突出的半导体鳍片。

13.如权利要求1所述的结构，还包括：

接触，与该第一源极/漏极区连接。

14.如权利要求1所述的结构，还包括：

第二源极/漏极区，包括具有第一区段、第二区段以及第三区段的第二半导体层，

其中，该半导体本体包括第三部分及第四部分，该半导体本体的该第三部分位于该第二半导体层的该第一区段与该第二半导体层的该第二区段之间，该半导体本体的该第四部分位于该第二半导体层的该第二区段与该第二半导体层的该第三区段之间，且该第一栅极结构横向位于该第一源极/漏极区与该第二源极/漏极区之间。