[发明专利]摄像装置有效
申请号: | 202110207828.4 | 申请日: | 2016-12-29 |
公开(公告)号: | CN112788224B | 公开(公告)日: | 2023-04-04 |
发明(设计)人: | 宍戸三四郎;村上雅史;西村佳寿子 | 申请(专利权)人: | 松下知识产权经营株式会社 |
主分类号: | H04N23/50 | 分类号: | H04N23/50;H04N23/55 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 蒋巍 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 摄像 装置 | ||
1.一种摄像装置,其中,具有:
半导体基板;
第1摄像单元,包括所述半导体基板内的第1光电变换部、以及一端与所述第1光电变换部电连接的第1电容元件;以及
第2摄像单元,包括所述半导体基板内的第2光电变换部,
所述第1摄像单元和所述第2摄像单元位于一个单位像素中,
在俯视观察时,所述第1电容元件至少部分地与所述第2光电变换部重叠,
在俯视观察时,所述第1光电变换部的面积小于所述第2光电变换部的面积。
2.根据权利要求1所述的摄像装置,其中,
所述第1电容元件包括下部电极、上部电极、以及被夹在所述下部电极和所述上部电极之间的绝缘体,
所述下部电极和所述上部电极的任意一方与所述第1光电变换部电连接。
3.根据权利要求1所述的摄像装置,其中,所述第2光电变换部位于所述第1电容元件的靠入射光侧的位置。
4.根据权利要求1所述的摄像装置,其中,所述半导体基板包括将所述第1光电变换部与所述第2光电变换部分离的分离层。
5.根据权利要求1所述的摄像装置,其中,所述第1光电变换部和所述第2光电变换部是光电二极管。
6.根据权利要求1所述的摄像装置,其中,还具有:
第1微透镜,位于所述第1光电变换部的光入射侧;以及
第2微透镜,位于所述第2光电变换部的光入射侧,
所述第2微透镜的聚光面积大于所述第1微透镜的聚光面积。
7.根据权利要求1所述的摄像装置,其中,所述第2摄像单元不具有电容元件。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的摄像装置,其中,所述第1摄像单元及所述第2摄像单元包括共用的电荷检测电路。
9.一种摄像装置,其中,具有:
半导体基板;
所述半导体基板内的第1光电变换部;
第1电容元件,一端与所述第1光电变换部电连接;以及
所述半导体基板内的第2光电变换部,
所述第1摄像单元和所述第2摄像单元位于一个单位像素中,
在俯视观察时,所述第1电容元件至少部分地与所述第2光电变换部重叠,
在俯视观察时,所述第1光电变换部的面积小于所述第2光电变换部的面积。
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