[发明专利]摄像装置有效
申请号: | 202110207898.X | 申请日: | 2016-12-29 |
公开(公告)号: | CN112788225B | 公开(公告)日: | 2023-01-20 |
发明(设计)人: | 宍戸三四郎;村上雅史;西村佳寿子 | 申请(专利权)人: | 松下知识产权经营株式会社 |
主分类号: | H04N23/50 | 分类号: | H04N23/50;H04N23/55 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 蒋巍 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 摄像 装置 | ||
1.一种摄像装置,其中,具有:
半导体基板;
第1光电变换部,位于所述半导体基板内,通过光电变换生成第1信号电荷;
第1节点,被输入所述第1信号电荷;
第1电容元件,具有第1端子和第2端子,所述第1端子与所述第1节点电连接;
第2光电变换部,位于所述半导体基板内,通过光电变换生成第2信号电荷;
第2节点,被输入所述第2信号电荷;
第1晶体管,具有与所述第2节点电连接的栅极;以及
开关元件,设置在所述第1节点与所述第2节点之间,
所述第1电容元件蓄积所述第1信号电荷,不蓄积所述第2信号电荷,
包括所述第1光电变换部及所述第1电容元件的第1摄像单元的饱和电荷数大于包括所述第2光电变换部的第2摄像单元的饱和电荷数。
2.根据权利要求1所述的摄像装置,其中,输入到所述第1节点的所述第1信号电荷经由所述开关元件被输入所述第2节点。
3.根据权利要求2所述的摄像装置,其中,所述第1晶体管将与输入到所述第2节点的所述第1信号电荷的量对应的信号电压放大。
4.根据权利要求1所述的摄像装置,其中,所述第1光电变换部和所述第2光电变换部是光电二极管。
5.根据权利要求1所述的摄像装置,其中,还具有:
第1微透镜,位于所述第1光电变换部的光入射侧;以及
第2微透镜,位于所述第2光电变换部的光入射侧,
所述第2微透镜的聚光面积大于所述第1微透镜的聚光面积。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的摄像装置,其中,在俯视观察时,所述第1光电变换部的面积小于所述第2光电变换部的面积。
7.一种摄像装置,其中,具有:
半导体基板;
第1光电变换部,位于所述半导体基板内,通过光电变换生成第1信号电荷;
第1电容元件,构成为具有第1端子和第2端子,所述第1端子与所述第1光电变换部电连接;
第2光电变换部,位于所述半导体基板内,通过光电变换生成第2信号电荷;
第1晶体管,构成为栅极与所述第2光电变换部电连接;以及
开关元件,设置在所述第1晶体管的所述栅极与所述第1电容元件的所述第1端子之间,
所述第1电容元件蓄积所述第1信号电荷,不蓄积所述第2信号电荷,
包括所述第1光电变换部及所述第1电容元件的第1摄像单元的饱和电荷数大于包括所述第2光电变换部的第2摄像单元的饱和电荷数。
8.根据权利要求7所述的摄像装置,其中,所述第1光电变换部和所述第2光电变换部是光电二极管。
9.根据权利要求7所述的摄像装置,其中,还具有:
第1微透镜,位于所述第1光电变换部的光入射侧;以及
第2微透镜,位于所述第2光电变换部的光入射侧,
所述第2微透镜的聚光面积大于所述第1微透镜的聚光面积。
10.根据权利要求7至9中任一项所述的摄像装置,其中,
在俯视观察时,所述第1光电变换部的面积小于所述第2光电变换部的面积。
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