[发明专利]摄像装置有效

专利信息
申请号: 202110207898.X 申请日: 2016-12-29
公开(公告)号: CN112788225B 公开(公告)日: 2023-01-20
发明(设计)人: 宍戸三四郎;村上雅史;西村佳寿子 申请(专利权)人: 松下知识产权经营株式会社
主分类号: H04N23/50 分类号: H04N23/50;H04N23/55
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 蒋巍
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 摄像 装置
【权利要求书】:

1.一种摄像装置,其中,具有:

半导体基板;

第1光电变换部,位于所述半导体基板内,通过光电变换生成第1信号电荷;

第1节点,被输入所述第1信号电荷;

第1电容元件,具有第1端子和第2端子,所述第1端子与所述第1节点电连接;

第2光电变换部,位于所述半导体基板内,通过光电变换生成第2信号电荷;

第2节点,被输入所述第2信号电荷;

第1晶体管,具有与所述第2节点电连接的栅极;以及

开关元件,设置在所述第1节点与所述第2节点之间,

所述第1电容元件蓄积所述第1信号电荷,不蓄积所述第2信号电荷,

包括所述第1光电变换部及所述第1电容元件的第1摄像单元的饱和电荷数大于包括所述第2光电变换部的第2摄像单元的饱和电荷数。

2.根据权利要求1所述的摄像装置,其中,输入到所述第1节点的所述第1信号电荷经由所述开关元件被输入所述第2节点。

3.根据权利要求2所述的摄像装置,其中,所述第1晶体管将与输入到所述第2节点的所述第1信号电荷的量对应的信号电压放大。

4.根据权利要求1所述的摄像装置,其中,所述第1光电变换部和所述第2光电变换部是光电二极管。

5.根据权利要求1所述的摄像装置,其中,还具有:

第1微透镜,位于所述第1光电变换部的光入射侧;以及

第2微透镜,位于所述第2光电变换部的光入射侧,

所述第2微透镜的聚光面积大于所述第1微透镜的聚光面积。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的摄像装置,其中,在俯视观察时,所述第1光电变换部的面积小于所述第2光电变换部的面积。

7.一种摄像装置,其中,具有:

半导体基板;

第1光电变换部,位于所述半导体基板内,通过光电变换生成第1信号电荷;

第1电容元件,构成为具有第1端子和第2端子,所述第1端子与所述第1光电变换部电连接;

第2光电变换部,位于所述半导体基板内,通过光电变换生成第2信号电荷;

第1晶体管,构成为栅极与所述第2光电变换部电连接;以及

开关元件,设置在所述第1晶体管的所述栅极与所述第1电容元件的所述第1端子之间,

所述第1电容元件蓄积所述第1信号电荷,不蓄积所述第2信号电荷,

包括所述第1光电变换部及所述第1电容元件的第1摄像单元的饱和电荷数大于包括所述第2光电变换部的第2摄像单元的饱和电荷数。

8.根据权利要求7所述的摄像装置,其中,所述第1光电变换部和所述第2光电变换部是光电二极管。

9.根据权利要求7所述的摄像装置,其中,还具有:

第1微透镜,位于所述第1光电变换部的光入射侧;以及

第2微透镜,位于所述第2光电变换部的光入射侧,

所述第2微透镜的聚光面积大于所述第1微透镜的聚光面积。

10.根据权利要求7至9中任一项所述的摄像装置,其中,

在俯视观察时,所述第1光电变换部的面积小于所述第2光电变换部的面积。

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