[发明专利]射频开关器件

权利要求书

1.一种射频开关器件，其特征在于，包括串联的至少两级MOS晶体管，所述至少两级MOS晶体管中的第一级MOS晶体管与信号输入端连接，所述至少两级MOS晶体管中的最后一级MOS晶体管与信号输出端连接；从所述第一级MOS晶体管至所述最后一级MOS晶体管，电容逐级减小，以使得各级MOS晶体管的分压相等；

其中，每一级的MOS晶体管包括：

基底，包括自下向上依次形成的底层衬底、埋氧层和顶层衬底；

多条栅极结构，位于所述顶层衬底上；

源区和漏区，分别位于每条所述栅极结构两侧的顶层衬底中；

多条源金属层，位于所述顶层衬底上，每条所述源金属层与对应的所述源区电连接；以及，

多条漏金属层，位于所述顶层衬底上，每条所述漏金属层与对应的所述漏区电连接；

所述电容包括所述底层衬底、所述埋氧层和所述顶层衬底构成的埋氧层电容、所述源金属层和所述漏金属层与二者之间的绝缘介质层构成的绝缘介质层电容以及所述源区和所述漏区与二者之间的顶层衬底构成的源漏电容，从所述第一级MOS晶体管至所述最后一级MOS晶体管，所述埋氧层电容、所述绝缘介质层电容和所述源漏电容中的至少一种逐级减小；各条所述栅极结构之间相互平行，所述源金属层的宽度和所述漏金属层的宽度均沿所述栅极结构的延伸方向递减，且所述源金属层与所述漏金属层的宽度递减的方向相反。

2.如权利要求1所述的射频开关器件，其特征在于，前一级的MOS晶体管的源极连接至相邻的后一级的MOS晶体管的漏极；第一级的MOS晶体管的漏极与所述信号输入端连接，最后一级MOS晶体管的源极与所述信号输出端连接。

3.如权利要求1所述的射频开关器件，其特征在于，相邻的所述源金属层和所述漏金属层之间沿着所述栅极结构的延伸方向的间距相等。

4.如权利要求1所述的射频开关器件，其特征在于，在所述栅极结构的延伸方向上，后一级的MOS晶体管相比前一级的MOS晶体管去除了至少一条所述源金属层的部分长度和/或至少一条所述漏金属层的部分长度。

5.如权利要求1所述的射频开关器件，其特征在于，后一级的MOS晶体管相比前一级的MOS晶体管的部分区域的所述顶层衬底被替换为介质层。

6.如权利要求1所述的射频开关器件，其特征在于，前一级的MOS晶体管的Q值等于所述埋氧层的Q值与后一级的MOS晶体管的Q值之和。

7.如权利要求6所述的射频开关器件，其特征在于，所述Q值等于电容值乘以电压值。

8.如权利要求1所述的射频开关器件，其特征在于，所述多条栅极结构的一端通过一栅连接件连接，以构成梳状栅极结构；所述多条源金属层的一端通过一源连接件连接，以构成梳状源金属层；所述多条漏金属层的一端通过一漏连接件连接，以构成梳状漏金属层。