[发明专利]套刻标记的形成方法及半导体结构

权利要求书

1.一种套刻标记的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供一衬底，所述衬底表面具有标记层、以及覆盖于所述标记层表面的第一掩膜层，所述标记层包括第一标记区域和位于所述第一标记区域端部的第二标记区域；

图形化所述第一掩膜层，于所述第一掩膜层中形成第一图形区域和位于所述第一图形区域端部的第二图形区域，所述第一图形区域中具有多个第一沟槽，所述第二图形区域中具有多个第二沟槽，所述第一标记区域与所述第一图形区域对应，所述第二标记区域与所述第二图形区域对应；

形成至少覆盖所述第一沟槽侧壁和所述第二沟槽侧壁的间隔层；

回填所述第一沟槽和所述第二沟槽，形成第二掩膜层，使得位于所述第一图形区域的所述第二掩膜层的厚度小于位于所述第二图形区域的所述第二掩膜层的厚度；

去除所述间隔层，位于所述第一沟槽侧壁的所述间隔层被完整的、充分的去除，位于所述第二沟槽侧壁的所述间隔层不能被充分去除，使得于所述第二沟槽侧壁残留有部分所述间隔层，从而于所述第一掩膜层和所述第二掩膜层之间形成刻蚀窗口；

沿所述刻蚀窗口刻蚀所述标记层，于所述第一标记区域形成主套刻标记槽、并同时于所述第二标记区域形成伪套刻标记槽，所述第一标记区域中的所有主套刻标记槽均沿垂直于所述衬底的方向贯穿所述标记层，所述第二标记区域中存在未贯穿所述标记层的伪套刻标记槽；采用标记材料填充所述主套刻标记槽，形成主套刻标记，并同时采用标记材料填充所述伪套刻标记槽，形成伪套刻标记。

2.根据权利要求1所述的套刻标记的形成方法，其特征在于，形成至少覆盖所述第一沟槽侧壁和所述第二沟槽侧壁的间隔层的具体步骤包括：

沉积间隔材料，形成覆盖所述第一沟槽侧壁和底壁、所述第二沟槽侧壁和底壁、以及所述第一掩膜层顶面的所述间隔层。

3.根据权利要求2所述的套刻标记的形成方法，其特征在于，形成第二掩膜层的具体步骤包括：

回填所述第一沟槽和所述第二沟槽，形成填充满所述第一沟槽和所述第二沟槽、并覆盖位于所述第一掩膜层顶面的所述间隔层的第二掩膜层。

4.根据权利要求1所述的套刻标记的形成方法，其特征在于，所述第二标记区域环绕所述第一标记区域的外围分布；

所述第二图形区域环绕所述第一图形区域的外围分布。

5.根据权利要求1所述的套刻标记的形成方法，其特征在于，所述主套刻标记为沿第一方向延伸的条状图形，多条所述主套刻标记沿与所述第一方向垂直的第二方向平行排布，所述第一方向和所述第二方向均为平行于所述衬底的方向；

所述伪套刻标记为环绕所述第一标记区域的围框状图形，多条所述伪套刻标记沿所述第一标记区域指向所述第二标记区域的方向依次嵌套。

6.根据权利要求1所述的套刻标记的形成方法，其特征在于，所述主套刻标记为沿第一方向延伸的条状图形，多条所述主套刻标记沿与所述第一方向垂直的第二方向平行排布，所述第一方向和所述第二方向均为平行于所述衬底的方向；

所述伪套刻标记包括第一伪图形和第二伪图形，多条所述第一伪图形位于所述主套刻标记沿所述第二方向的相对两端、且均沿所述第一方向延伸，多条所述第二伪图形位于所述主套刻标记沿所述第一方向的相对两端、且均沿所述第二方向延伸。

7.根据权利要求1所述的套刻标记的形成方法，其特征在于，所述主套刻标记为沿第一方向延伸的条状图形，多条所述主套刻标记沿与所述第一方向垂直的第二方向平行排布，所述第一方向和所述第二方向均为平行于所述衬底的方向；

所述伪套刻标记包括多个第三伪图形，多个所述第三伪图形环绕所述第一标记区域的外周呈围框状排布。

8.根据权利要求1所述的套刻标记的形成方法，其特征在于，所述伪套刻标记的特征尺寸小于或者等于所述主套刻标记的特征尺寸。