[发明专利]一种双光束无掩模光刻系统

权利要求书

1.一种双光束无掩模光刻系统，其特征在于，所述双光束无掩模光刻系统包括：光源(1)、扩束匀化单元(2)、光场调制单元(3)、光束调节单元(4)和载物台(5)，

所述光源(1)包括第一光源(11)和第二光源(12)，所述第一光源(11)用于发射激发光(110)、引发光刻胶发生光化学反应；所述第二光源(12)用于发射损耗光(120)、阻止光刻胶发生光化学反应；

所述扩束匀化单元(2)包括扩束器和准直透镜，用于将上述第一光源(11)和第二光源(12)产生的光束进行混合、匀化扩大和准直，输出匀化准直光束，扩束匀化单元(2)输出的匀化准直光束包括均匀混合的第一光源(11)发出的激发光(110)和第二光源(12)发出的损耗光(120)；

所述光场调制单元(3)包括光场调制器(31)，用于将接收的匀化准直光束转变为图形化平行光束阵列；

所述光束调节单元(4)用于将所述图形化平行光束阵列转化为成像平面上的像素点阵，像素点阵的非零像素点的中心为第一光束实心圆(601)、外环为第二光束中空环(602)，其中，所述第一光束实心圆(601)的直径大于所述第二光束中空环(602)的内直径，小于所述第二光束中空环(602)的外直径；

所述载物台(5)用于装载基板，所述光束调节单元(4)包括微透镜阵列，用于将第二光束调制为成像平面上的中空环，

其中，所述微透镜阵列的每个微透镜(411)的中央带有吸光镀层(412)，所述吸光镀层(412)对于所述损耗光(120)的吸光系数为100％；或者

所述微透镜阵列的每个微透镜(411)的中央带有反光层，所述反光层对于所述损耗光(120)的反射系数为100％。

2.如权利要求1所述的双光束无掩模光刻系统，其特征在于，所述光束调节单元(4)与载物台(5)之间，设置有透镜组，以调节光刻胶与光学元件的工作距离。

3.如权利要求1所述的双光束无掩模光刻系统，其特征在于，所述光场调制器(31)包括数字透镜器件(DMD)、光栅光阀、液晶空间光调制器和/或MEMS空间光调制器。

4.如权利要求1所述的双光束无掩模光刻系统，其特征在于，对于像素点阵上的紧邻的点，采用不同的图像帧进行光刻。

5.如权利要求1所述的双光束无掩模光刻系统，其特征在于，依次采用4帧图像进行光刻的方式来进行完整图形的光刻，其中，所述4帧图像分别对四个紧邻且呈方形或矩形排列的点阵中的一个点进行光刻；或者

依次采用两帧图像进行光刻的方式进行更完整图像的光刻，所述两帧图像分别对四个紧邻且呈方形或矩形排列的点阵中的两个对角线分布的点进行光刻。

6.如权利要求1所述的双光束无掩模光刻系统，其特征在于，所述第一光源(11)为473nm激光器，所述第二光源(12)为364nm激光器，所述光刻胶为樟脑醌/4-(二甲氨基)苯甲酸乙酯/二硫化四乙基秋兰姆/二甲基丙烯酸三乙二醇酯混合物。