[发明专利]一种缺陷检测方法在审
申请号: | 202110209860.6 | 申请日: | 2021-02-24 |
公开(公告)号: | CN113034435A | 公开(公告)日: | 2021-06-25 |
发明(设计)人: | 徐峰 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | G06T7/00 | 分类号: | G06T7/00;H01L21/66 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 曹廷廷 |
地址: | 201315*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 缺陷 检测 方法 | ||
本发明提供了一种缺陷检测方法,首先通过扫描机台扫描获取缺陷位置的第一坐标,然后建立扫描新坐标系,并将缺陷位置的第一坐标转换成第二坐标,接着建立图像新坐标系,图像新坐标系的原点与扫描新坐标系的原点一致,然后建立图像子坐标系,并将缺陷位置的第二坐标转换成第一坐标,最后根据缺陷位置的第一坐标拍摄得到缺陷检测图像,并根据缺陷检测图像来确定获取到的缺陷位置是否真实存在缺陷。可见,本发明通过建立具有统一固定原点的扫描新坐标系和图像新坐标系,以纠正扫描机台和图像机台间的坐标系偏差,以使得图像机台拍摄时可快速准确地找到扫描到的缺陷位置,并及时确定该缺陷位置是否真实存在缺陷,提高检测效率,保证晶圆缺陷。
技术领域
本发明涉及半导体技术领域,特别涉及一种缺陷检测方法。
背景技术
在半导体芯片的制造过程中,刻蚀工艺对半导体器件的性能有着至关重要的影响。同时,刻蚀工艺中产生的残留物会造成缺陷,从而影响半导体器件的良率。为了有效减少缺陷,需要对刻蚀后的半导体结构及时进行缺陷检测,并筛选出存在缺陷的单元,以提高半导体器件的良率。
在对具有多个晶粒(die)的晶圆进行检测时,现有的检测机台分为扫描(scan)机台和图像(review)机台,现有的缺陷检测过程是通过扫描机台扫描待检测晶圆得到缺陷(defect)的位置坐标信息,并将该位置坐标信息传送给图像机台,所述图像机台根据得到的缺陷的位置坐标信息对对应于缺陷所在的位置处的该待检测晶圆进行拍摄得到缺陷图像(imge),并根据缺陷图像来确定所扫描到的位置是否真实存在缺陷。
然而,随着半导体器件工艺尺寸的不断减小,die的尺寸也越来越小,当die的尺寸小到超出扫描机台所允许的最下尺寸时,扫描机台会根据具体情况将几个die合起来定义为扫描的一个die来解决扫描机台最小尺寸设定的问题,但是这样会使得扫描机台程式中设定的检测单元中包含多个检测单元,导致建立图像机台程式时无法快速和准确找到扫描机台程式中所定义的坐标原点,即会造成扫描机台和图像机台间坐标系偏差,从而无法及时发现和确认工艺缺陷,造成晶圆良率损失。
发明内容
本发明的目的在于提供一种缺陷检测方法,以解决现有技术中对具有小尺寸die的晶圆进行缺陷检测时,造成扫描机台和图像机台间存在坐标系偏差,从而无法及时发现和确认工艺缺陷,造成晶圆良率损失的问题。具体技术方案如下:
本发明提供一种缺陷检测方法,用于对具有小尺寸晶圆进行缺陷检测,所述缺陷检测方法包括:
扫描获取缺陷位置的第一坐标;
建立扫描新坐标系;
将所述缺陷位置的第一坐标在所述扫描新坐标系中转换成第二坐标;
建立图像新坐标系,所述图像新坐标系的原点与所述扫描新坐标系的原点一致;
根据所述缺陷位置的第二坐标建立图像子坐标系;
将所述缺陷位置的第二坐标在所述图像子坐标系中转换成第一坐标;
根据所述缺陷位置的第一坐标拍摄得到缺陷检测图像;
根据所述缺陷检测图像确定获取到的所述缺陷位置是否真实存在缺陷。
可选的,扫描获取缺陷位置的第一坐标,具体包括:
将晶圆划分成多个检测单元,每个所述检测单元内具有多个呈矩阵列的晶粒;
设定每个所述检测单元以最左下角的所述晶粒的左底角所在位置为所述检测单元内坐标系的坐标原点;
扫描晶圆的各个检测单元,获取缺陷位置在对应检测单元内坐标系的第一坐标(x,y)。
可选的,建立扫描新坐标系,具体包括:
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司,未经上海华力微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110209860.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。