[发明专利]显示基板及其制备方法、显示装置有效
申请号: | 202110210135.0 | 申请日: | 2021-02-24 |
公开(公告)号: | CN113013211B | 公开(公告)日: | 2022-10-25 |
发明(设计)人: | 夏维;王彦强;郭远征;韩永占 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/00;G09F9/30 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 及其 制备 方法 显示装置 | ||
1.一种显示基板,其特征在于,所述显示基板包括:
柔性透光基底;所述柔性透光基底的一侧具有多个凹槽;
设置在所述柔性透光基底一侧的遮光层;所述遮光层包括多个遮光图案,一个遮光图案位于一个凹槽内;所述遮光图案包括第一子遮光图案和第二子遮光图案,所述第一子遮光图案覆盖在所述凹槽的侧壁上,所述第二子遮光图案覆盖在所述凹槽的底面上;以及,
设置在所述遮光层远离所述柔性透光基底一侧的多个子像素;各子像素包括像素驱动电路和发光器件;
其中,所述像素驱动电路包括多个晶体管,一个晶体管的有源层位于一个凹槽内;一个凹槽内设置有多个有源层;所述多个有源层属于至少一个像素驱动电路中的晶体管;相对于所述柔性透光基底,所述有源层靠近所述柔性透光基底的一侧表面,低于所述第一子遮光图案远离所述柔性透光基底的一侧表面。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,相对于所述柔性透光基底,所述有源层远离所述柔性透光基底的一侧表面,与所述第一子遮光图案远离所述柔性透光基底的一侧表面持平,或者,低于所述第一子遮光图案远离所述柔性透光基底的一侧表面。
3.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述第一子遮光图案和所述第二子遮光图案之间的夹角大于或等于90°。
4.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述显示基板还包括:设置在所述柔性透光基底和所述多个子像素之间的阻隔层;
所述阻隔层具有多个开口,所述多个开口暴露所述多个凹槽;
所述第一子遮光图案在所述柔性透光基底上的正投影,与所述阻隔层在所述柔性透光基底上的正投影相切或部分重叠。
5.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述遮光层包括金属层;
所述遮光层接地设置。
6.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述显示基板还包括:设置在所述遮光图案和所述有源层之间的缓冲层;
所述缓冲层覆盖所述第一子遮光图案和所述第二子遮光图案;
沿平行于所述柔性透光基底的方向,所述第一子遮光图案和所述有源层之间具有间距。
7.根据权利要求1~6中任一项所述的显示基板,其特征在于,所述晶体管的栅极位于所述晶体管的有源层远离所述柔性透光基底的一侧。
8.一种显示基板的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括:
提供柔性透光薄膜;
对所述柔性透光薄膜进行图案化处理,形成多个凹槽,得到柔性透光基底;
在所述柔性透光基底的一侧形成遮光层;所述遮光层包括多个遮光图案,一个遮光图案位于一个凹槽内;所述遮光图案包括第一子遮光图案和第二子遮光图案,所述第一子遮光图案覆盖在所述凹槽的侧壁上,所述第二子遮光图案覆盖在所述凹槽的底面上;
在所述遮光层远离所述柔性透光基底的一侧形成多个子像素;各子像素包括像素驱动电路和发光器件;
其中,所述像素驱动电路包括多个晶体管,一个晶体管的有源层位于一个凹槽内;一个凹槽内设置有多个有源层;所述多个有源层属于至少一个像素驱动电路中的晶体管;相对于所述柔性透光基底,所述有源层靠近所述柔性透光基底的一侧表面,低于所述第一子遮光图案远离所述柔性透光基底的一侧表面。
9.根据权利要求8所述的显示基板的制备方法,其特征在于,所述对所述柔性透光薄膜进行图案化处理,形成多个凹槽,包括:
在所述柔性透光薄膜的一侧形成阻隔薄膜;
在所述阻隔薄膜远离所述柔性透光薄膜的一侧形成第一光刻胶层;
对所述第一光刻胶层进行图案化,以图案化后的第一光刻胶层为掩膜,对所述阻隔薄膜进行图案化,形成多个开口,得到阻隔层;
以所述阻隔层为掩膜,对所述柔性透光薄膜进行图案化,形成多个凹槽,得到所述柔性透光基底。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的