[发明专利]太赫兹无跳丝微带探针单片及系统级电路一体化封装结构

权利要求书

1.一种太赫兹无跳丝微带探针单片及系统级电路一体化封装结构，其特征在于，包括：上腔体、下腔体、上腔体封盖在下腔体上形成的屏蔽腔、微带探针互联封装一体化结构，所述微带探针互联封装一体化结构安装在屏蔽腔内；所述屏蔽腔包括矩形波导腔、微带电路屏蔽腔和单片电路屏蔽腔；

所述微带探针互联封装一体化结构，包括：塑封层、内嵌于塑封层中的太赫兹芯片、塑封层上覆盖的Pi介质层；

所述太赫兹芯片包括：测试pad、地pad；

在测试pad上方对应的Pi介质层位置钻孔，制作与芯片pad互联的孔状结构，所述Pi介质层上还包括制作：微带探针、探针阻抗匹配微带枝节、连接和承载孔状互联结构的微带线、互联阻抗匹配微带枝节；所述与芯片pad互联的孔状结构与连接和承载孔状互联结构的微带线相连，连接和承载孔状互联结构的微带线与互联阻抗匹配微带枝节相连，微带探针与探针阻抗匹配微带枝节连接，所述探针阻抗匹配微带枝节还与互联阻抗匹配微带枝节相连；

探针阻抗匹配微带枝节与互联阻抗匹配微带枝节均采用双枝节串联微带阻抗匹配网络；

当内嵌于塑封层中的太赫兹芯片数量大于或等于2时，还包括：两个太赫兹芯片之间由互联匹配微带枝节连接。

2.根据权利要求1所述的一种太赫兹无跳丝微带探针单片及系统级电路一体化封装结构，其特征在于，在塑封层覆盖有Pi介质层的对侧制作金属层，安装时采用导电胶将金属层与下腔体烧结粘合。

3.根据权利要求2所述的一种太赫兹无跳丝微带探针单片及系统级电路一体化封装结构，其特征在于，所述微带探针距波导短路面距离为四分之一波长。

4.根据权利要求3所述的一种太赫兹无跳丝微带探针单片及系统级电路一体化封装结构，其特征在于，孔状互联结构采用金属原子溅射技术制作。

5.根据权利要求4所述的一种太赫兹无跳丝微带探针单片及系统级电路一体化封装结构，其特征在于，采用金属原子溅射技术，在Pi介质层上制作微带电路。

6.根据权利要求5所述的一种太赫兹无跳丝微带探针单片及系统级电路一体化封装结构，其特征在于，当太赫兹频段为100～300GHz时，矩形波导腔的前端采用减高波导。

7.根据权利要求6所述的一种太赫兹无跳丝微带探针单片及系统级电路一体化封装结构，其特征在于，当微带探针互联封装一体化结构中包括至少两片太赫兹芯片时，两片太赫兹芯片之间共用互联阻抗匹配微带枝节，这里的互联阻抗匹配微带枝节作为阻抗匹配。

8.根据权利要求7所述的一种太赫兹无跳丝微带探针单片及系统级电路一体化封装结构，其特征在于，塑封层和太赫兹芯片的厚度一致。