[发明专利]一种低温度系数金属膜电阻器

说明书

本发明公开了一种低温度系数金属膜电阻器，其结构包括电路板、主体、连接块、引脚、焊坑，电路板上设置有焊坑，焊坑与引脚过渡配合，引脚通过连接块连接在主体上，焊坑包括坑壁、集纳箱、连脚、排液口、溶液槽，坑壁上连接有连脚，且连接在电路板内，溶液槽上设置有排液口，排液口通过集纳箱与引脚间接配合，在助力组件上设置有掰位装置和引撑结构，利用掰位装置和引撑结构在定位角上相配合，当引脚继续向焊坑插入时，将会带动引撑结构在液体的冲击下可以顺着护框的偏移方向打开，且会通过定位角带动掰位装置垂直反扣在放置架内部，不仅能够引导液体顺利流动进溶液槽内，而且对引脚形成定型的基座支撑。

技术领域

本发明涉及电阻领域，特别的，是一种低温度系数金属膜电阻器。

背景技术

金属膜电阻器一般采用真空蒸发工艺制得，即在真空中加热合金，合金蒸发，使瓷棒表面形成一层导电金属膜，刻槽和改变金属膜厚度可以控制阻值，它的耐热性、噪声电势、温度系数、电压系数等电性能比碳膜电阻器优良；现有的低温度系数金属膜电阻器在使用时会出现以下弊端：

通常将引脚焊接在电路板上的焊坑内，使得电阻器主体在电路板上工作，但是一个引脚仅有一个单一的焊接点，其融点最高时，其引脚所熔融的液体在焊坑内流动，以致于引脚将会随着底部的缺失而失去支撑点，继续向焊坑内插入，造成熔融的液体溢出焊坑，给电阻器引脚的焊接可靠性带来很大影响，最终制成性能较差。

发明内容

针对上述问题，本发明提供一种低温度系数金属膜电阻器，其结构包括电路板、主体、连接块、引脚、焊坑，所述电路板上设置有焊坑，所述焊坑与引脚过渡配合，所述引脚通过连接块连接在主体上，所述焊坑包括坑壁、集纳箱、连脚、排液口、溶液槽，所述坑壁上连接有连脚，且连接在电路板内，所述溶液槽上设置有排液口，所述排液口通过集纳箱与引脚间接配合。

作为本发明的进一步改进，所述集纳箱包括放置架、底撑筒、固定内芯、助力组件、摆臂，所述放置架上通过固定内芯与坑壁间接配合，且连接有摆臂，所述摆臂过渡配合在排液口和助力组件之间，所述助力组件安装在底撑筒上。

作为本发明的进一步改进，所述助力组件包括掰位装置、定位角、引撑结构、护框，所述掰位装置设置在定位角之间，所述定位角连接在引撑结构和护框之间，所述护框连接在底撑筒上。

作为本发明的进一步改进，所述定位角间接配合在放置架与摆臂之间。

作为本发明的进一步改进，所述引撑结构包括卡柱、冲限沟、竖导件、结扣、顺压体、集垫，所述卡柱通过顺压体连接在定位角上，且通过结扣连接有集垫，所述集垫间接配合在护框上，所述顺压体与竖导件之间设置有冲限沟。

作为本发明的进一步改进，所述竖导件包括收拢推、圈环、滑释层、扣夹，所述收拢推滚动配合在圈环和滑释层之间，所述圈环连接滑释层和护框之间，所述滑释层上连接有扣夹，所述扣夹连接在冲限沟上。

作为本发明的进一步改进，所述掰位装置包括扣圈、归纳层、联动带、转换体，所述扣圈连接在定位角外部，且连接在联动带两侧，所述联动带内安装有归纳层，所述归纳层通过转换体在放置架弯折处转动配合。

作为本发明的进一步改进，所述转换体包括外限板、磨合板、夹持套，所述外限板和夹持套之间安装有磨合板，所述夹持套过渡配合在联动带上。

有益效果

与现有技术相比，本发明的有益效果：

1、本发明在助力组件上设置有掰位装置和引撑结构，利用掰位装置和引撑结构在定位角上相配合，当引脚继续向焊坑插入时，将会带动引撑结构在液体的冲击下可以顺着护框的偏移方向打开，且会通过定位角带动掰位装置垂直反扣在放置架内部，不仅能够引导液体顺利流动进溶液槽内，而且对引脚形成定型的基座支撑。