[发明专利]存储器装置

说明书

一种用于感测存储器阵列中的存储器单元的存储器装置包括至少一个第一存储器单元、第一感测放大器、第一多路复用器电路、多个第一参考单元及控制器。所述第一感测放大器耦合到所述至少一个第一存储器单元。所述第一多路复用器电路的输出端子耦合到所述第一感测放大器的参考端子。所述第一参考单元中的每一者耦合到所述第一多路复用器电路的每一输入节点。所述控制器耦合到所述第一多路复用器电路的控制端子。所述第一感测放大器包括输出端子及参考端子。当对所述至少一个第一存储器单元执行每一读取操作时，所述控制器控制所述第一多路复用器电路以选择所述第一参考单元中的一者作为所选参考单元来耦合到所述第一感测放大器的所述参考端子。

技术领域

本揭露涉及一种用于存储器装置的感测放大器的技术，且更具体来说，涉及一种存储器装置、一种感测放大器及一种用于感测存储器单元的方法，其中在所述感测放大器中对多个参考单元进行损耗均衡(wear levelling)。

背景技术

由于存储器装置中的存储器单元中的每一者具有小的读取感测窗口，因此大多数存储器装置在感测放大器(sense amplifier，SA)中利用参考单元来进行读取操作。如何设计存储器装置中感测放大器(SA)的结构是存储器装置的读取功能面临的挑战之一。存储器阵列的每一列(column)具有一个具有参考单元的感测放大器，且感测放大器使用此参考单元来读取与对应的参考单元位于相同列次序中的存储器单元。因此，在存储器装置的读取操作期间，虽然存储器单元正确地存储数据，但由感测放大器读取的数据可能由于参考单元中的错误而翻转(flip)。所述错误可由对参考单元进行大量的存取次数使得参考单元遇到读取耐久性及可靠性问题而导致。换句话说，由于存储器阵列的每一列的读取次数及半导体工艺的偏差，感测放大器的每一参考单元可能具有微小的差异。

发明内容

本揭露是提供一种存储器装置。所述存储器装置包括至少一个第一存储器单元、第一感测放大器、第一多路复用器电路、多个第一参考单元及控制器。所述第一感测放大器耦合到所述至少一个第一存储器单元。所述第一感测放大器包括输出端子及参考端子。所述第一多路复用器电路的输出端子耦合到所述第一感测放大器的所述参考端子。所述多个第一参考单元中的每一第一参考单元耦合到所述第一多路复用器电路的每一输入节点。所述控制器耦合到所述第一多路复用器电路的控制端子。当对所述至少一个第一存储器单元执行每一读取操作时，所述控制器控制所述第一多路复用器电路依序及重复地选择所述第一参考单元中的一者作为所选参考单元来耦合到所述第一感测放大器的所述参考端子。

附图说明

结合附图阅读以下详细说明，会最佳地理解本发明的各方面。应注意，根据业内标准惯例，各种特征并非是按比例绘制。事实上，为使论述清晰起见，可任意增大或减小各种特征的尺寸。

图1示出根据本揭露实施例的感测放大器的结构的详细框图，其中通过由控制器产生的列(column)控制信号经由多路复用器选择多个参考单元。

图2示出根据本揭露实施例的感测放大器的结构的详细框图，其中通过由控制器产生的行(row)控制信号经由多路复用器选择多个参考单元。

图3示出根据本揭露实施例的感测放大器的结构的详细框图，其中通过由控制器产生的列控制信号及行控制信号经由多路复用器选择多个参考单元。

图4示出说明根据本揭露实施例对至少一个存储器单元的读取操作的步骤的流程图。

具体实施方式

以下公开内容提供用于实施本发明的不同特征的许多不同的实施例或实例。以下阐述组件及构造的具体实例以简化本发明。当然，这些仅为实例且不旨在进行限制。例如，以下说明中将第一特征形成在第二特征之上或第二特征上可包括其中第一特征与第二特征被形成为直接接触的实施例，且也可包括其中第一特征与第二特征之间可形成有额外特征、从而使得所述第一特征与所述第二特征可能不直接接触的实施例。另外，本发明可能在各种实例中重复使用参考编号及/或字母。这种重复使用是出于简洁及清晰的目的，而不是自身表示所论述的各种实施例及/或配置之间的关系。