[发明专利]半导体工艺的仿真方法

权利要求书

1.一种半导体工艺的仿真方法，其特征在于，包括：

确定第一空间分布函数，并作为半导体工艺层在生长起始时的厚度与位置的分布函数，以及，确定第二空间分布函数，并作为所述半导体工艺层在生长结束时的厚度与位置的分布函数，其中，所述半导体工艺层通过生长工艺生长在基底材料层的表面；

根据所述第一空间分布函数以及第二空间分布函数，确定所述半导体工艺层的反应速度函数；

根据所述反应速度函数，确定所述基底材料层在生长工艺中的点缺陷产生速率的仿真结果；

其中，所述第一空间分布函数以及第二空间分布函数不同时为预设赋值函数。

2.根据权利要求1所述的半导体工艺的仿真方法，其特征在于，所述第一空间分布函数以及第二空间分布函数为：

预设赋值函数、分段均匀函数、分段线性函数、指数函数、高斯函数以及余误差函数中的任意一种。

3.根据权利要求2所述的半导体工艺的仿真方法，其特征在于，

所述预设赋值函数为：

f(x,y)＝T₁；

所述分段均匀函数为：

f(x,y)＝N₀，if x₀-x_s/2＜x＜x₀+x_s/2；

所述分段线性函数为：

f(x,y)＝N₀x，if x＜0；

f(x,y)＝N₁x，if x＞0；

所述指数函数为：

或者，

所述高斯函数为：

或者，

所述余误差函数为：

其中，(x,y)用于表示仿真位置的x轴坐标以及y轴坐标，T₁用于表示半导体工艺层的第一预设厚度值，N₀用于表示半导体工艺层的第二预设厚度值，N₁用于表示半导体工艺层的第三预设厚度值，N₂用于表示半导体工艺层的第四预设厚度值，N₃用于表示半导体工艺层的第五预设厚度值，(x₀,y₀)用于表示预设的参考位置的坐标，x_s和y_s分别表示分布函数在x和y方向分布的特征长度。

4.根据权利要求1所述的半导体工艺的仿真方法，其特征在于，所述半导体工艺层包含多个图案凸起；

如果预设的参考位置位于相邻的图案凸起之间，则在以下多项中选择数学函数确定第一空间分布函数：

预设赋值函数、分段均匀函数以及分段线性函数；

以及，在以下多项中选择数学函数确定第二空间分布函数：

分段线性函数、指数函数、高斯函数以及余误差函数。

5.根据权利要求4所述的半导体工艺的仿真方法，其特征在于，

所述第一空间分布函数为预设赋值函数：

T1(x,y)＝T₀；

所述第二空间分布函数为高斯函数：

T2(x,y)＝T₀+0.01×exp(-(x-x₀)×(x-x₀)/(2×x_s×x_s)-(y-y₀)×(y-y₀)/(2×y_s×y_s))；

其中，T1(x,y)用于表示第一空间分布函数，T2(x,y)用于表示第二空间分布函数，T₀用于表示半导体工艺层的第六预设厚度值，(x,y)用于表示仿真位置的x轴坐标以及y轴坐标，(x₀,y₀)用于表示预设的参考位置的坐标，x_s和y_s分别表示分布函数在x和y方向分布的特征长度。