[发明专利]一种提高基于铯铅溴CsPbBr3

权利要求书

1.一种提高基于铯铅溴CsPbBr₃钙钛矿吸光层的辐射探测器性能的方法，其特征在于，该方法是通过对辐射探测器的吸光层铯铅溴CsPbBr₃钙钛矿材料进行含氧气氛围的退火处理，在避免使CsPbBr₃体相中的溴元素被氧化以致失去钙钛矿结构的前提下，仅在吸光层CsPbBr₃的表面形成宽带隙的铅的氧化物以钝化缺陷，降低暗电流，从而提高辐射探测器CsPbBr₃的辐射探测性能；其中，所述辐射探测器的吸光层铯铅溴CsPbBr₃钙钛矿材料是通过熔体法制备得到的；所述退火处理所采用的退火温度是350-500℃。

2.如权利要求1所述方法，其特征在于，所述含氧气的氛围是以氧气为有效成分的纯净物或混合气体，包括纯氧气、空气、或是氧气与惰性气体的混合物。

3.如权利要求1所述方法，其特征在于，所述退火处理所采用的退火温度为400℃。

4.利用如权利要求1－3任意一项所述方法处理得到的辐射探测器，其特征在于，包括辐射探测吸光层（3），该辐射探测吸光层（3）是熔体法制备得到的CsPbBr₃钙钛矿材料，并经过了氧气氛围的退火处理；所述熔体法制备得到的CsPbBr₃钙钛矿材料具体为CsPbBr₃钙钛矿单晶或多晶膜；该辐射探测器除了以CsPbBr₃为主体的吸光层，还包括两个电极，这两个电极分别作为辐射探测器的正极（1）和负极（5），用于导出所述辐射探测吸光层（3）基于光电效应产生的电子和空穴。

5.如权利要求4所述辐射探测器，其特征在于，所述两个电极分别位于所述辐射探测吸光层（3）的两侧，并分别直接与所述辐射探测吸光层（3）接触；

或者，所述两个电极分别位于所述辐射探测吸光层（3）的两侧，并分别通过对应的选择性电荷接触层与所述辐射探测吸光层（3）相连接；所述选择性电荷接触层为电子选择性接触层（2）或空穴选择性接触层（4），其中，所述电子选择性接触层（2）位于所述正极（1）与所述辐射探测吸光层（3）之间，用于传输吸光层产生的电子并阻挡空穴；所述空穴选择性接触层（4）位于所述负极（5）与所述辐射探测吸光层（3）之间，用于导出吸光层产生的空穴并阻挡电子。

6.如权利要求5所述辐射探测器，其特征在于，所述电子选择性接触层（2）为碳六十（C₆₀）、富勒烯衍生物（PCBM）、二氧化钛（TiO₂）或氧化锌（ZnO）中的一种。

7.如权利要求5所述辐射探测器，其特征在于，所述空穴选择性接触层（4）为氧化镍（NiO）、双（4-苯基)(2,4,6-三甲基苯基)胺（PTAA）中的一种。

8.如权利要求4－7任意一项所述辐射探测器在高能辐射探测中的应用，其特征在于，高能辐射探测所针对的辐射源包括X射线、γ射线，该辐射探测器中辐射探测吸光层（3）的厚度为1微米到10毫米。