[发明专利]磁性传感器及磁性检测方法在审
| 申请号： | 202110212146.2 | 申请日： | 2021-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN113311370A | 公开（公告）日： | 2021-08-27 |
| 发明（设计）人： | 上村纮崇;五十岚敦史;加藤贵博 | 申请（专利权）人： | 艾普凌科株式会社 |
| 主分类号： | G01R33/07 | 分类号： | G01R33/07 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 杨文娟;臧建明 |
| 地址： | 日本东京港区三田3丁目*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 磁性 传感器 检测 方法 | ||
1.一种磁性传感器，其特征在于，包括：
半导体装置，在表面形成有磁性检测元件；以及
导电性基体，支撑所述半导体装置，并且
所述导电性基体包括：
第一区域，配置于所述磁性检测元件的附近，利用通过施加被测定磁场而生成的第一涡电流，来产生第一磁场；以及
第二区域，与所述第一区域分离而配置，利用通过施加所述被测定磁场而生成的第二涡电流，来产生将所述第一磁场消除的强度的第二磁场。
2.根据权利要求1所述的磁性传感器，其特征在于，所述导电性基体为平板状。
3.根据权利要求1所述的磁性传感器，其特征在于，在所述第一区域与所述第二区域之间，设置有切口及狭缝中的至少任一者。
4.根据权利要求1所述的磁性传感器，其特征在于，所述第一区域的面积较所述第二区域的面积更窄。
5.根据权利要求1所述的磁性传感器，其特征在于，所述磁性检测元件具有指向性，
自所述磁性检测元件的位置起，在所述磁性检测元件的灵敏度最大的感磁方向上配置有所述第一区域，并且
自所述磁性检测元件的位置起，在所述感磁方向上未配置所述第二区域。
6.根据权利要求5所述的磁性传感器，其特征在于，所述磁性检测元件为霍尔元件、磁阻元件及磁性阻抗元件中的任一者。
7.根据权利要求1所述的磁性传感器，其特征在于，以在所述第一区域中包括与所述磁性检测元件最近的部位的方式设置有贯穿孔。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的磁性传感器，其特征在于，在俯视所述导电性基体的情况下，所述导电性基体的形状为线对称，且在所述线对称的对称轴上配置有所述磁性检测元件。
9.根据权利要求1至7中任一项所述的磁性传感器，其特征在于，在俯视所述导电性基体的情况下，所述导电性基体的形状为点对称，且在所述点对称的中心点上配置有所述磁性检测元件。
10.一种磁性检测方法，利用磁性传感器，所述磁性传感器包括：
半导体装置，在表面形成有磁性检测元件；以及
导电性基体，支撑所述半导体装置，并且
所述导电性基体包括：
第一区域，配置于所述磁性检测元件的附近；以及
第二区域，与所述第一区域分离而配置，
所述磁性检测方法的特征在于，
在所述第一区域中，利用通过施加被测定磁场而生成的第一涡电流，来产生第一磁场；并且
在所述第二区域中，利用通过施加所述被测定磁场而生成的第二涡电流，来产生将所述第一磁场消除的强度的第二磁场。
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