[发明专利]半导体存储器件

权利要求书

1.一种半导体存储器件，包括：

模制结构，包括交替地堆叠在第一基板上的多个栅电极和多个模制绝缘膜；

沟道结构，穿透所述模制结构并与每个所述栅电极的相应水平面交叉；

在所述模制结构中的多个第一绝缘图案，所述第一绝缘图案与所述模制绝缘膜交替地堆叠并包括与所述模制绝缘膜的材料不同的材料；以及

在所述第一绝缘图案中的第一贯穿通路，所述第一贯穿通路穿透所述第一基板和所述模制结构，

其中所述栅电极包括第一字线和在所述第一字线上的第二字线，以及

其中从所述第一字线到所述第一贯穿通路的第一距离不同于从所述第二字线到所述第一贯穿通路的第二距离。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器件，其中所述第一距离小于所述第二距离。

3.根据权利要求1所述的半导体存储器件，进一步包括：

位线，在第一方向上延伸并电连接到所述沟道结构；以及

块分隔区域，在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸以切割所述模制结构，

其中所述模制结构包括在所述第二方向上彼此相邻的单元阵列区域和延伸区域，以及

其中在所述延伸区域中，所述栅电极共同地具有沿着所述第二方向的阶梯形状。

4.根据权利要求3所述的半导体存储器件，进一步包括：

在所述模制结构中的多个第二绝缘图案，所述第二绝缘图案与所述模制绝缘膜交替地堆叠并包括与所述模制绝缘膜的材料不同的材料；以及

在所述第二绝缘图案中的第二贯穿通路，所述第二贯穿通路穿透所述第一基板和所述模制结构，

其中所述第一绝缘图案和所述第一贯穿通路在所述单元阵列区域中，以及

其中所述第二绝缘图案和所述第二贯穿通路在所述延伸区域中。

5.根据权利要求4所述的半导体存储器件，

其中所述第一贯穿通路电连接到所述位线，以及

其中所述第二贯穿通路电连接到每个所述栅电极。

6.根据权利要求4所述的半导体存储器件，其中所述第一绝缘图案和所述第二绝缘图案包括相同的材料。

7.根据权利要求1所述的半导体存储器件，进一步包括：

穿透所述模制绝缘膜和所述第一绝缘图案的贯穿绝缘体，

其中所述第一贯穿通路穿透所述贯穿绝缘体。

8.根据权利要求1所述的半导体存储器件，进一步包括：

第二基板；

在所述第二基板上的外围电路元件；以及

在所述外围电路元件上的层间绝缘膜，

其中所述模制结构堆叠在所述层间绝缘膜上，以及

其中所述第一贯穿通路穿透所述层间绝缘膜并电连接到所述外围电路元件。

9.根据权利要求1所述的半导体存储器件，

其中所述栅电极进一步包括在所述第二字线上的第三字线，以及

其中从所述第三字线到所述第一贯穿通路的第三距离不同于所述第一距离和所述第二距离。

10.根据权利要求9所述的半导体存储器件，

其中所述第一距离小于所述第二距离，以及

其中所述第二距离小于所述第三距离。