[发明专利]半导体结构的制备方法和半导体结构

权利要求书

1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底包括阵列区域和围绕所述阵列区域的外围区域，所述阵列区域包括中心区域和围绕所述中心区域的边缘区域；

于所述衬底上形成第一图案层，所述第一图案层包括位于所述阵列区域上的第一图形和位于所述外围区域上的第二图形，所述第一图形包括多个间隔分布的第一凸起结构，所述第二图形包括多个间隔分布的第二凸起结构，且所述第二凸起结构的宽度大于所述第一凸起结构的宽度；

于所述第一图案层上形成掩膜材料层，所述掩膜材料层包括位于所述外围区域上的第一掩膜材料层、位于所述边缘区域上的第二掩膜材料层以及位于所述中心区域上的第三掩膜材料层，所述第二掩膜材料层的厚度大于所述第三掩膜材料层的厚度；

确定所述边缘区域的位置以及所述第二掩膜材料层和所述第三掩膜材料层的厚度差；

根据所述边缘区域的位置和所述厚度差，修正所述第二掩膜材料层的厚度，以使修正后的所述第二掩膜材料层和所述第三掩膜材料层的厚度差位于目标厚度差的范围内；其中，所述根据所述边缘区域的位置和所述厚度差，修正所述第二掩膜材料层的厚度包括：于所述掩膜材料层上形成第一光刻胶材料层；根据确定的所述边缘区域的位置，图案化所述第一光刻胶材料层，形成第一光刻胶层，所述第一光刻胶层暴露所述第二掩膜材料层；根据所述厚度差调整刻蚀工艺的刻蚀参数，以所述第一光刻胶层为掩模版，利用所述刻蚀工艺蚀刻部分所述第二掩膜材料层，以使蚀刻后的所述第二掩膜材料层与所述第三掩膜材料层的厚度差位于目标厚度差的范围内；

图案化修正后的所述掩膜材料层，以形成掩膜层，所述掩膜层具有第一沟槽结构，所述第一沟槽结构与所述第一凸起结构对应设置，且所述第一沟槽结构于所述衬底的投影位在所述第一凸起结构于所述衬底的投影内；

根据所述掩膜层图案化所述第一图案层，形成第二图案层。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述确定所述边缘区域的位置以及所述第二掩膜材料层和所述第三掩膜材料层的厚度差，包括：

通过原子力显微镜确定所述掩膜材料层的表面尺寸；

根据所述掩膜材料层的表面尺寸，确定所述边缘区域的位置以及所述第二掩膜材料层和所述第三掩膜材料层的厚度差。

3.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，根据确定的所述边缘区域的位置，图案化所述第一光刻胶材料层，形成第一光刻胶层包括：

设计暴露所述边缘区域的光罩，以所述光罩为掩模版，利用光刻工艺去除位于所述边缘区域上的所述第一光刻胶材料层。

4.根据权利要求3所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，还包括：

当所述衬底的目标边缘区域与所述光罩暴露的区域出现偏差时，可通过调节所述光刻工艺中的光照能量进行调节。

5.根据权利要求3所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，根据所述厚度差调整刻蚀工艺的刻蚀参数包括：

将所述厚度差与所述目标厚度差进行对比，通过对比结果调整所述刻蚀工艺的刻蚀时间。

6.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述图案化修正后的所述掩膜材料层，以形成掩膜层包括：

在修正后的所述掩膜材料层上形成第二光刻胶材料层；

图案化所述第二光刻胶材料层，形成第二光刻胶层，所述第二光刻胶层具有第二沟槽结构；其中，所述第二沟槽结构于所述衬底上的投影与所述第一沟槽结构于所述衬底上的投影重合；

以所述第二光刻胶层为掩模版，刻蚀修正后的所述掩膜材料层；

去除所述第二光刻胶层。

7.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：

所述第一图形具有第三沟槽结构，所述第三沟槽结构位于相邻的所述第一凸起结构之间；

所述第二图形具有第四沟槽结构，所述第四沟槽结构位于相邻的所述第二凸起结构之间；

其中，所述第一图形的沟槽密度大于所述第二图形的沟槽密度。