[发明专利]半导体器件和图像传感器以及制造图像传感器的方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底，具有第一表面和与所述第一表面相反的第二表面；

抗反射涂层，设置在所述衬底的第二表面上；

应力调整层，设置在抗反射涂层上，

其中，所述应力调整层包括半导体材料的氧化物，并且

其中，所述应力调整层中的半导体材料的浓度分布与所述应力调整层中的氧原子的浓度分布不重叠并且彼此不同；

栅格结构，设置在所述应力调整层上；以及

金属化层，设置在所述衬底的第一表面上。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，跨所述应力调整层，所述半导体材料的浓度分布具有梯度型分布。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，跨所述应力调整层，所述半导体材料的浓度分布具有阶梯型分布。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述半导体材料的浓度分布从所述应力调整层的底面到顶面具有增大的斜率，并且所述氧原子的浓度分布从所述应力调整层的底面到顶面具有减小的斜率。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述半导体材料的浓度分布从所述应力调整层的底面到顶面具有减小的斜率，并且所述氧原子的浓度分布从所述应力调整层的底面到顶面具有增大的斜率。

6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述应力调整层的硅浓度范围为约45原子％至约65原子％。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述应力调整层包括具有底层和顶层的双层结构，并且

其中，所述底层的硅氧浓度比大于所述顶层的硅氧浓度比。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述应力调整层包括具有底层和顶层的双层结构，并且

其中，所述顶层的硅氧浓度比大于所述底层的硅氧浓度比。

9.一种图像传感器，包括：

衬底，具有前侧表面和与所述前侧表面相反的背侧表面；

抗反射涂层，设置在所述衬底的背侧表面上；

介电层，设置在抗反射涂层上；

金属层，设置在所述介电层上；

应力调整层，设置在所述金属层上，

其中，所述应力调整层包括富硅氧化物层，并且

其中，所述应力调整层中硅的浓度分布与所述应力调整层中氧原子的浓度分布不重叠并且彼此不同；以及

氧化物栅格结构，设置在所述应力调整层上。

10.一种制造图像传感器的方法，包括：

在衬底的前侧表面上形成金属化层；

在所述衬底的背侧表面上沉积抗反射涂层；

在抗反射涂层上沉积应力调整层；其中，沉积所述应力调整层包括沉积富硅氧化物层，所述富硅氧化物层的硅氧浓度比分布从所述应力调整层的底面到顶面具有减小的斜率；

在所述应力调整层上形成像素栅格结构；以及

在所述金属化层上和所述衬底内形成焊盘结构。