[发明专利]晶圆再生方法在审
| 申请号： | 202110214746.2 | 申请日： | 2021-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN114975114A | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 林盈志;王派涌;许雅婷;练焕璋 | 申请（专利权）人： | 昇阳国际半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 张丽丽;姚亮 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 再生 方法 | ||
1.一种晶圆再生方法，其特征在于，包括：
齐备步骤：齐备一表面设置有至少一膜层的晶圆，且该晶圆含有铜原子；
去膜步骤：将所述膜层从该晶圆的表面剥除，得一去膜的晶圆；
退火步骤：将该去膜的晶圆置于一加热环境中进行退火处理，得一经退火处理的晶圆，且退火温度为大于或等于150℃且小于或等于500℃；
抛光步骤：抛光该经退火处理的晶圆，得一经抛光的晶圆；以及
清洗步骤：清洗该经抛光的晶圆，得一再生晶圆。
2.如权利要求1所述的晶圆再生方法，其特征在于，该退火步骤中进行退火处理的持续时间为至少1小时。
3.如权利要求2所述的晶圆再生方法，其特征在于，该退火步骤中进行退火处理的持续时间为2小时至6小时。
4.如权利要求1所述的晶圆再生方法，其特征在于，该退火温度为250℃。
5.如权利要求1所述的晶圆再生方法，其特征在于，该晶圆再生方法的该退火步骤与该抛光步骤之间，还包括一静置步骤。
6.如权利要求5所述的晶圆再生方法，其特征在于，该静置步骤的静置时间为3天到7天。
7.如权利要求5所述的晶圆再生方法，其特征在于，该静置步骤的环境为无尘室。
8.如权利要求7所述的晶圆再生方法，其特征在于，该无尘室符合美国联邦标准209的Class1000或ISO 14644的ISO 6。
9.如权利要求1所述的晶圆再生方法，其特征在于，该再生晶圆的表面的铜原子浓度为1×108个/cm2至5×109个/cm2。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昇阳国际半导体股份有限公司，未经昇阳国际半导体股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110214746.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
