[发明专利]一种脉冲光探测器及其制备方法

权利要求书

1.一种脉冲光探测器，其特征在于所述的脉冲光探测器包括衬底、支撑层、压电薄膜、电极和光声薄膜，其中衬底位于最下方，支撑层位于在衬底上方，压电薄膜位于支撑层的上方中央处，电极位于支撑层上方压电薄膜两侧，光声薄膜位于压电薄膜上方中央处。

2.根据权利要求1所述的一种脉冲光探测器，其特征在于所述的衬底材料为硅或二氧化硅。

3.根据权利要求1所述的一种脉冲光探测器，其特征在于所述的支撑层材料为二氧化硅或氮化硅。

4.根据权利要求1所述的一种脉冲光探测器，其特征在于所述的压电薄膜为氮化铝薄膜、氧化锌薄膜、锆钛酸铅薄膜、聚偏氟乙烯薄膜、铌酸锂晶体薄膜或钽酸锂晶体薄膜。

5.根据权利要求1所述的一种脉冲光探测器，其特征在于所述的光声薄膜为碳粉、碳纳米管、碳纳米纤维、石墨烯和聚二甲基硅氧烷的混合物薄膜。

6.根据权利要求1所述的一种脉冲光探测器，其特征在于所述的电极材料为金、钛、钼或铝。

7.根据权利要求1所述的一种脉冲光探测器，其特征在于所述的支撑层厚度为200-1000nm。

8.根据权利要求1所述的一种脉冲光探测器，其特征在于所述的压电薄膜厚度为500-5000nm。

9.根据权利要求1所述的一种脉冲光探测器，其特征在于所述的光声薄膜厚度为100-2000nm。

10.根据权利要求1所述的一种脉冲光探测器的制备方法，其特征在于按如下步骤进行：

(1)将衬底依次用丙酮、无水乙醇、去离子水各自超声清洗3分钟，氮气吹干；

(2)通过等离子增强化学气相沉积或脉冲激光沉积的方法在衬底上方沉积支撑层；

(3)通过射频溅射、电子束蒸发、等离子增强化学气相沉积或脉冲激光沉积的方法在支撑层上方中央处沉积压电薄膜；

(4)通过射频溅射、电子束蒸发的方法在支撑层上方压电薄膜两侧沉积电极；

(5)通过旋涂的方法在压电薄膜上方沉积光声薄膜；

(6)通过深反应离子刻蚀的方法将衬底中央部分刻蚀掉，只保留衬底边缘部分，形成空腔结构。