[发明专利]RF功率放大器

权利要求书

1.一种电路，包括：

分配器，具有带第一反相输出和第一非反相输出的第一输出端口以及带第二反相输出和第二非反相输出的第二输出；

组合器，具有带第一反相输入和第一非反相输入的第一输入端口以及带第二反相输入和第二非反相输入的第二输入端口；

第一对晶体管，其中每个晶体管具有与接地耦合的第一输入端子、与组合器的第一输入端口耦合的第一输出端子、以及由分配器的第一输出端口驱动的第一控制端子；

第二对晶体管，其中每个晶体管具有与接地耦合的第二输入端子、与组合器的第二输入端口耦合的第二输出端子、以及由分配器的第二输出驱动的第二控制端子；

耦合在组合器的第一非反相输入和第二非反相输入之间的第一稳定线；和

耦合在组合器的第一反相输入和第二反相输入之间的第二稳定线。

2.根据权利要求1所述的电路，其中晶体管是金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），并且输入端子是源极端子，输出端子是漏极端子，并且控制端子是栅极端子。

3.根据权利要求1所述的电路，其中晶体管是双极结型晶体管（BJT），并且输入端子是发射极端子，输出端子是集电极端子，并且控制端子是基极端子。

4.根据权利要求1所述的电路，其中第一稳定线和第二稳定线是Al或Cu。

5.根据权利要求1所述的电路，其中第一稳定线包括第一电感器，并且第二稳定线包括第二电感器。

6.根据权利要求1所述的电路，其中第一稳定线包括第一电容器，并且第二稳定线包括第二电容器。

7.根据权利要求1所述的电路，其中第一稳定线包括第一电阻器，并且第二稳定线包括第二电阻器。

8.根据权利要求1所述的电路，其中分配器包括4个电感输出段，并且组合器包括4个电感输入段。

9.根据权利要求1所述的电路，其中组合器和分配器被配置为在20GHz处或20GHz以上的频率下操作。

10.一种射频（RF）功率组合器，包括：

具有第一反相输入和第一非反相输入的第一端口；

具有第二反相输入和第二非反相输入的第二端口；

耦合在第一非反相输入和第二非反相输入之间的第一稳定线；和

耦合在第一反相输入和第二反相输入之间的第二稳定线。

11.根据权利要求10所述的RF功率组合器，其中RF功率组合器被配置为在20GHz处或20GHz以上的频率下操作。

12.根据权利要求10所述的RF功率组合器，进一步包括耦合在第一非反相输入和功率端子之间的第一电感器、耦合在第一反相输入和功率端子之间的第二电感器、耦合在第二非反相输入和功率端子之间的第三电感器、以及耦合在第二反相输入和功率端子之间的第四电感器。

13.根据权利要求12所述的RF组合器，其中第一反相输入与第二反相输入基本上同相，并且第一非反相输入与第二非反相输入基本上同相，而反相和非反相输入异相。

14.根据权利要求10所述的RF组合器，其中第一稳定线包括第一电感器，并且第二稳定线包括第二电感器。

15.根据权利要求10所述的RF组合器，其中第一稳定线包括第一电容器，并且第二稳定线包括第二电容器。