[发明专利]一种氧化铟锡薄膜热处理及其评价方法在审
| 申请号： | 202110215926.2 | 申请日： | 2021-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN113025988A | 公开（公告）日： | 2021-06-25 |
| 发明（设计）人： | 单恒升;楚阳阳;徐超明;欧阳辉灿;刘胜威;梅云检;马淑芳;许并社 | 申请（专利权）人： | 陕西科技大学 |
| 主分类号： | C23C14/58 | 分类号： | C23C14/58;C23C14/08;G06F30/20;G06F119/08 |
| 代理公司： | 西安鼎迈知识产权代理事务所(普通合伙) 61263 | 代理人： | 李振瑞 |
| 地址： | 710000*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氧化 薄膜 热处理 及其 评价 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种氧化铟锡薄膜热处理方法，其特征在于，包括，
采用磁控溅射法制备ITO薄膜；
以稀有气体为载气，控制升温速率，在真空管式高温烧结炉中对ITO薄膜进行热处理；
控制降温速率，得到热处理后的ITO薄膜。
2.根据权利要求1所述的氧化铟锡薄膜热处理方法，其特征在于，所述载气选择氦气、氮气、氩气中的一种。
3.根据权利要求1所述的氧化铟锡薄膜热处理方法，其特征在于，通入所述载气的速率为200sccm。
4.根据权利要求1所述的氧化铟锡薄膜热处理方法，其特征在于，所述升温速率为15℃/min。
5.根据权利要求1所述的氧化铟锡薄膜热处理方法，其特征在于，所述降温速率为1.5℃/min。
6.根据权利要求1所述的氧化铟锡薄膜热处理方法，其特征在于，所述采用磁控溅射法制备的ITO薄膜中In2O3含量为90％，SnO2含量为10％。
7.权利要求1至6任一项所述氧化铟锡薄膜热处理方法制得的ITO薄膜的评价方法。
8.根据权利要求7所述的评价方法，其特征在于，通过薄膜透光率和氧空位变化评价ITO薄膜的热稳定性。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于陕西科技大学，未经陕西科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110215926.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种磁共振T
- 下一篇：石墨浸渍四氟列管式换热器的制备方法
- 同类专利
- 专利分类
