[发明专利]一种针对SiC MOSFET消隐时间可调的抗干扰短路保护电路在审
| 申请号： | 202110216369.6 | 申请日： | 2021-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN113067565A | 公开（公告）日： | 2021-07-02 |
| 发明（设计）人： | 程新红;刘天天 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H03K17/082 | 分类号： | H03K17/082;H03K17/16 |
| 代理公司： | 上海泰能知识产权代理事务所(普通合伙) 31233 | 代理人： | 钱文斌 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 针对 sic mosfet 时间 可调 抗干扰 短路 保护 电路 | ||
1.一种针对SiC MOSFET消隐时间可调的抗干扰短路保护电路，包括：Vds监测模块，用于监测SiC MOSFET的源漏电压Vds；Vds比较模块，用于将监测到的源漏电压Vds与阈值进行比较，并输出逻辑信号，其特征在于，还包括：寄存器模块，用于存储所述逻辑信号；时钟产生模块，与所述寄存器模块相连，用于产生所述寄存器模块的所需的工作时钟信号；消隐时间配置模块，与所述寄存器模块相连，用于调节所述寄存器模块的有效位数和工作时钟频率；逻辑处理模块，用于根据所述寄存器模块中存储的逻辑信号，在发生短路时输出短路保护信号。
2.根据权利要求1所述的针对SiC MOSFET消隐时间可调的抗干扰短路保护电路，其特征在于，所述Vds监测模块包括快恢复高压二极管和电流源，所述快恢复高压二极管的阴极与待监测SiC MOSFET的漏极相连，阳极与所述电流源相连。
3.根据权利要求1所述的针对SiC MOSFET消隐时间可调的抗干扰短路保护电路，其特征在于，所述Vds比较模块为比较器，所述比较器的第一输入端与所述Vds监测模块的输出端相连，第二输入端与所述阈值信号端相连，输出端与所述寄存器模块相连。
4.根据权利要求1所述的针对SiC MOSFET消隐时间可调的抗干扰短路保护电路，其特征在于，所述寄存器模块采用N位串行移位寄存器。
5.根据权利要求1所述的针对SiC MOSFET消隐时间可调的抗干扰短路保护电路，其特征在于，所述时钟产生模块采用振荡器实现。
6.根据权利要求1所述的针对SiC MOSFET消隐时间可调的抗干扰短路保护电路，其特征在于，所述逻辑处理模块采用数字芯片或逻辑电路实现逻辑控制。
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