[发明专利]具有超宽色域的全色模块在审
申请号: | 202110217013.4 | 申请日: | 2021-02-26 |
公开(公告)号: | CN114975502A | 公开(公告)日: | 2022-08-30 |
发明(设计)人: | 柳雄烈;方义奎 | 申请(专利权)人: | 柳雄烈;柳昭瑛;柳在源;方文焕;方赞圭;方义奎 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;G09F9/33 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 金鲜英;张敬强 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 超宽色域 全色 模块 | ||
1.一种基于RGCB像素的全色模块,其由红色(R)、绿色(G)、青色(C)及蓝色(B)的四种颜色光源构成,所述基于RGCB像素的全色模块的特征在于,包括:
630~655nm峰值波长的红色光源;
515~555nm峰值波长的绿色光源;
490~505nm峰值波长的青色光源;以及
455~470nm峰值波长的蓝色光源。
2.根据权利要求1所述的基于RGCB像素的全色模块,其特征在于,
所述绿色光源包括一个峰值波长为520~535nm的第一绿色光源。
3.根据权利要求1所述的基于RGCB像素的全色模块,其特征在于,
所述绿色光源包括一个峰值波长为515~530nm的第二绿色光源和一个峰值波长为540~555nm的第三绿色光源。
4.根据权利要求1所述的基于RGCB像素的全色模块,其特征在于,
所述蓝色光源是由GaN制成的蓝光LED,或者是p型层由ZnO和GaN制成的蓝光混合LED。
5.根据权利要求1所述的基于RGCB像素的全色模块,其特征在于,
所述青色光源是由GaN制成的青光LED,或者是p型层由ZnO和GaN制成的青光混合LED。
6.根据权利要求2所述的基于RGCB像素的全色模块,其特征在于,
所述第一绿色光源是通过将第一绿光荧光体结合于蓝光LED来构成的,所述蓝光LED是由GaN制成的LED,或者是p型层由ZnO和GaN制成的混合LED,所述第一绿光荧光体将蓝光转换为对应峰值波长的绿光。
7.根据权利要求3所述的基于RGCB像素的全色模块,其特征在于,
所述第二绿色光源及所述第三绿色光源分别是通过将第二绿光荧光体及第三绿光荧光体结合于蓝光LED来构成的,所述蓝光LED是由GaN制成的LED,或者是p型层由ZnO和GaN制成的混合LED,所述第一绿光荧光体及所述第二绿光荧光体分别将蓝光转换为各自的对应峰值波长的绿光。
8.根据权利要求1所述的基于RGCB像素的全色模块,其特征在于,
所述红色光源是通过将红光荧光体结合于青光LED来构成的,所述青光LED是由GaN制成的LED,或者是p型层由ZnO和GaN制成的混合LED,所述红光荧光体将青光转换为对应峰值波长的红光。
9.根据权利要求1所述的基于RGCB像素的全色模块,其特征在于,
所述红色光源是通过将红光荧光体结合于蓝光LED来构成的,所述蓝光LED是由GaN制成的LED,或者是p型层由ZnO和GaN制成的混合LED,所述红光荧光体将蓝光转换为对应峰值波长的红光。
10.根据权利要求1所述的基于RGCB像素的全色模块,其特征在于,
所述颜色光源由LED阵列构成,所述LED阵列层是层叠于TFT层而连接电极的结构。
11.根据权利要求10所述的基于RGCB像素的全色模块,其特征在于,
所述LED阵列的单位像素包括两个蓝光LED和两个青光LED,在两个蓝光LED中的某一个结合有用于将蓝光转换为520~535nm峰值波长的绿光的第一绿光荧光体,在两个青光LED中的某一个结合有用于将青光转换为对应峰值波长的红光的红光荧光体。
12.根据权利要求10所述的基于RGCB像素的全色模块,其特征在于,
所述LED阵列的单位像素包括三个蓝光LED和两个青光LED,在三个蓝光LED中两个分别结合有用于将蓝光转换为515~530nm峰值波长的绿光的第二绿光荧光体和用于将蓝光转换为540~555nm峰值波长的绿光的第三绿光荧光体,在两个青光LED中的某一个结合有用于将青光转换为对应峰值波长的红光的红光荧光体。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的