[发明专利]一种功率分立器件及其控制方法

权利要求书

1.一种功率分立器件，其特征在于，包括：封装外壳及封装于所述封装外壳内部的两个不同类型的可控半导体芯片；

两个不同类型的所述可控半导体芯片之间存在至少一个连接点，以使所述功率分立器件封装后具备至少两个功率流端口以及至少一个控制端口；

所述控制端口用于实现对于相应的所述可控半导体芯片的通断驱动，以使所述功率分立器件的主功率电流流经相应的所述功率流端口，以及相应的可控半导体芯片。

2.根据权利要求1所述的功率分立器件，其特征在于，两个所述可控半导体芯片中，第二可控半导体芯片的第一性能优于第一可控半导体芯片；

所述第一性能包括：开通时开关损耗或两端电压下降速度，以及，关断时开关损耗或两端电压上升速度。

3.根据权利要求2所述的功率分立器件，其特征在于，所述第一可控半导体芯片为硅基半导体器件。

4.根据权利要求3所述的功率分立器件，其特征在于，所述第一可控半导体芯片为：至少1颗半导体晶圆并联组成。

5.根据权利要求3所述的功率分立器件，其特征在于，所述硅基半导体器件为：硅基的绝缘栅双极型晶体管IGBT、晶体三极管BJT和硅基的金属-氧化物半导体场效应晶体管MOSFET中的一种。

6.根据权利要求2所述的功率分立器件，其特征在于，所述第二可控半导体芯片为宽禁带半导体器件；

或者，第一可控半导体芯片为IGBT时，所述第二可控半导体芯片为硅基的金氧半场效晶体管MOSFET。

7.根据权利要求6所述的功率分立器件，其特征在于，所述宽禁带半导体器件为：氮化镓场效应晶体管GaN-FET和碳化硅基的场效应晶体管SIC-MOSFET中的一种。

8.根据权利要求7所述的功率分立器件，其特征在于，所述第二可控半导体芯片为：至少1颗半导体晶圆并联组成。

9.根据权利要求1-8任一项所述的功率分立器件，其特征在于，两个不同类型的所述可控半导体芯片并联连接后的两端分别作为一个所述功率流端口。

10.根据权利要求1-8任一项所述的功率分立器件，其特征在于，两个所述可控半导体芯片的第一端相连，连接点作为一个所述功率流端口；

两个所述可控半导体芯片的第二端分别作为另外一个所述功率流端口。

11.根据权利要求1-8任一项所述的功率分立器件，其特征在于，两个所述可控半导体芯片的控制端，分别作为一个所述控制端口。

12.根据权利要求1-8任一项所述的功率分立器件，其特征在于，还包括：一个阻抗；

一个所述可控半导体芯片的控制端通过所述阻抗连接所述控制端口；

另一个所述可控半导体芯片的控制端直接连接所述控制端口。

13.根据权利要求12所述的功率分立器件，其特征在于，还包括：两个阻抗；

两个所述可控半导体芯片的控制端分别通过相应的阻抗连接所述控制端口。

14.一种功率分立器件的控制方法，其特征在于，应用于如权利要求1-13任一项所述功率分立器件的控制器，所述控制方法包括：

检测所述功率分立器件所在电路的当前参数；

控制所述功率分立器件中两个不同类型的可控半导体芯片分别执行相应的开关动作，以承担相应的损耗，使所述功率分立器件在所述当前参数下的总损耗最小。

15.根据权利要求14所述的功率分立器件的控制方法，其特征在于，所述当前参数为：电流值、电压值和功率值中的至少一个。