[发明专利]一种碳化硅肖特基二极管的终端结构及其设计方法

权利要求书

1.一种碳化硅肖特基二极管的终端结构的设计方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1，对碳化硅肖特基二极管设计若干种场环终端结构，对每一种场环终端结构进行工艺仿真和器件仿真，根据工艺仿真和器件仿真的结果确定场环终端结构，获得第一过程终端结构；

步骤2，在步骤1确定第一过程终端结构上添加若干种场版终端结构，并对每一个添加有场版终端结构的碳化硅肖特基二极管进行仿真，选择出器件性能最优的场版终端结构，获得第二过程终端结构；

步骤3，在步骤2获得的第二过程终端结构中调整场环的环数，对设置有不同场环环数的第二过程终端进行仿真，根据仿真结果，确定最终碳化硅肖特基二极管的终端结构。

2.根据权利要求1所述的一种碳化硅肖特基二极管的终端结构的设计方法，其特征在于，步骤1中，所述器件仿真包括器件耐压仿真和器件漏电仿真。

3.根据权利要求1所述的一种碳化硅肖特基二极管的终端结构的设计方法，其特征在于，步骤1中，每一种场环终端结构的环宽、环间距及环数不同。

4.根据权利要求1所述的一种碳化硅肖特基二极管的终端结构的设计方法，其特征在于，步骤2中，每一种场版终端结构中场版的长度不同。

5.根据权利要求1所述的一种碳化硅肖特基二极管的终端结构的设计方法，其特征在于，步骤3中，当仿真结果满足设计要求，且成本最小时，为最终碳化硅肖特基的终端结构。

6.根据权利要求1所述的一种碳化硅肖特基二极管的终端结构的设计方法，其特征在于，仿真过程采用的仿真软件为Silvaco-atlas。

7.一种通过权利要求1-6任意一项设计方法设计出的碳化硅肖特基二极管，其特征在于，包括基底层(1)，所述基底层(1)上表面的内部设置有场环(2)，所述基底层(1)的上部设置有场版终端结构(3)。