[发明专利]新型总剂量仿真方法及其与单粒子耦合仿真方法、装置

权利要求书

1.一种新型总剂量仿真方法，其特征在于，包括：

利用TCAD工具Sentaurus软件的SDE进行抗辐照器件建模得到用于抗辐照研究的三维器件结构，并利用修改参数文件激活Radiation模型；

利用激活后的Radiation模型进行总剂量的仿真研究。

2.根据权利要求1所述的新型总剂量仿真方法，其特征在于，利用修改参数文件激活Radiation模型包括：

使用“新型氧化物半导体材料”代替SiO₂；

将“新型氧化物半导体材料”的参数文件内容换成SiO₂的参数文件内容；

在第一Sdevice的Physics部分加入Radiation模型，以激活Radiation模型。

3.根据权利要求1所述的新型总剂量仿真方法，其特征在于，总剂量的研究包括在不同偏置状态、不同辐照剂量率、不同辐照剂量下对总剂量的研究。

4.一种新型总剂量与单粒子耦合仿真方法，其特征在于，包括：

利用权利要求1～3任意一项所述的新型总剂量仿真方法进行总剂量的仿真；

对总剂量仿真后的电学特性和物理特性在第一Sdevice中进行保存，电学特性和物理特性的保存文件后缀名分别是.sav文件和.tdr文件；

将保存后的.sav文件和.tdr文件导入用于HeavyIon模型对单粒子仿真的第二Sdevice中的File部分；

对File部分加入TID仿真结果作为初始仿真条件的第二Sdevice进行单粒子仿真，以研究总剂量与单粒子的耦合机理。

5.根据权利要求4所述的新型总剂量与单粒子耦合仿真方法，其特征在于，在总剂量仿真的第一Sdevice中的Solve结尾部分使用Plot语句和Save语句对总剂量仿真后的电学特性和物理特性进行保存。

6.根据权利要求4所述的新型总剂量与单粒子耦合仿真方法，其特征在于，将保存后的.sav文件和.tdr文件导入用于HeavyIon模型对单粒子仿真的第二Sdevice中的File部分包括：

在HeavyIon模型对单粒子仿真的第二Sdevice中的File部分将Grid和Doping的文件替换为.tdr文件；

将HeavyIon模型对单粒子仿真的第二Sdevice中的File部分使用Load语句将总剂量仿真后.sav加载进来。

7.根据权利要求4所述的新型总剂量与单粒子耦合仿真方法，其特征在于，研究总剂量与单粒子的耦合机理包括在不同偏置状态、不同辐照剂量率、不同辐照剂量下的总剂量对单粒子耦合效应仿真的研究。

8.根据权利要求4所述的新型总剂量与单粒子耦合仿真方法，其特征在于，研究总结总剂量和单粒子耦合机理还包括总剂量辐照时器件偏置状态和单粒子作用时器件的偏置状态一致。

9.一种新型总剂量与单粒子耦合仿真装置，其特征在于，包括：

第一数据仿真模块，用于利用权利要求1～3任意一项所述的新型总剂量仿真方法进行总剂量的仿真；

数据保存处理模块，用于对总剂量仿真后的电学特性和物理特性在第一Sdevice中进行保存，电学特性和物理特性的保存文件后缀名分别是.sav文件和.tdr文件；

数据导入处理模块，用于将保存后的.sav文件和.tdr文件导入用于HeavyIon模型对单粒子仿真的第二Sdevice中的File部分；

第二数据仿真模块，用于对File部分加入TID仿真结果作为初始仿真条件的第二Sdevice进行单粒子仿真，以研究总剂量与单粒子的耦合机理。