[发明专利]一种低导通压降肖特基二极管结构及其制备方法

权利要求书

1.一种低导通压降肖特基二极管结构，其特征在于，包括N型外延层(1)；

在N型外延层(1)的横向截面上，所述N型外延层(1)的内部设置有一圈P型增压环(2)、一圈N型引出区(7)和一圈N型区表面接触区(4)；N型引出区(7)围绕P型增压环(2)，N型引出区(7)在N型区表面接触区(4)中；P型增压环(2)、N型引出区(7)和N型区表面接触区(4)同轴心；

在N型外延层(1)的竖向截面上，P型增压环(2)、N型引出区(7)及N型区表面接触区(4)的上表面均和N型外延层(1)的上表面平齐；N型引出区(7)的下表面和N型外延层(1)的下表面平齐，P型增压环(2)的下表面和N型外延层(1)的下表面有距离，N型区表面接触区(4)的下表面有距离，N型引出区(7)穿过N型区表面接触区(4)。

2.根据权利要求1所述的一种低导通压降肖特基二极管结构，其特征在于，所述N型引出区(7)为N型深磷层。

3.根据权利要求1所述的一种低导通压降肖特基二极管结构，其特征在于，所述P型增压环(2)为B杂质区。

4.根据权利要求1所述的一种低导通压降肖特基二极管结构，其特征在于，所述N型外延层(1)的下部设置有N+埋层(5)。

5.根据权利要求1所述的一种低导通压降肖特基二极管结构，其特征在于，N型外延层(1)的上表面设置有金属互联线(6)和二氧化硅层(3)。

6.一种低导通压降肖特基二极管结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1，在N型外延层(1)的上表面制备有二氧化硅层(3)；

步骤2，在二氧化硅层(3)上刻蚀出N型引出区(7)的窗口；

步骤3，通过N型引出区(7)的窗口，将磷离子扩散在N型外延层(1)的内部形成N型引出区(7)；

步骤4，剥离二氧化硅层(3)，在N型外延层(1)的上表面形成新的二氧化硅层(3)；

步骤5，在二氧化硅层(3)上设置光刻胶(8)，刻蚀出P型增压环(2)的窗口；

步骤6，通过P型增压环(2)的窗口，向N型外延层(1)中注入B杂质高能离子，形成P型增压环(2)，去除二氧化硅层(3)；

步骤7，在N型外延层(1)的上表面形成新的二氧化硅层(3)，光刻二氧化硅层(3)形成N型区表面接触区(4)的窗口；通过N型区表面接触区(4)的窗口，向N型外延层(1)中扩散磷离子，形成N型区表面接触区(4)；

步骤8，在N型外延层(1)的上表面制备金属互联线(6)。

7.根据权利要求6所述的一种低导通压降肖特基二极管结构的制备方法，其特征在于，步骤3中，所述磷离子通过两步扩散形成N型引出区(7)，第一步磷扩散的温度为975℃，方阻为(5.0±1.0)Ω/；第二步磷扩散的温度为1200℃。

8.根据权利要求6所述的一种低导通压降肖特基二极管结构的制备方法，其特征在于，步骤6中，B杂质的注入能量为80keV。