[发明专利]光学邻近效应修正中散射条的嵌入方法

说明书

本申请涉及集成电路设计领域，具体涉及一种光学邻近效应修正中散射条的嵌入方法，包括以下步骤：获取集成电路上主图形的数据；根据所述数据依次插入虚拟图形以及散射条；根据所述散射条的长度和宽度筛选出产生多余图形的散射条；将筛选出的所述散射条截断成若干散射条段；执行光学邻近效应修正的步骤。通过将产生多余图形的散射条进行截断，大大降低了多余图形的曝出率，同时还提高了主图形的分辨率，提高了产品的良率。

技术领域

本申请涉及集成电路设计领域，具体涉及一种光学邻近效应修正中散射条的嵌入方法。

背景技术

集成电路制造技术是一个复杂的工艺，技术更新很快。表征集成电路制造技术的一个关键参数为最小特征尺寸，即关键尺寸(critical dimension，CD)，随着关键尺寸的缩小，甚至缩小至纳米级，而正是由于关键尺寸的减小才使得每个芯片上设置百万个器件成为可能。

光刻技术是集成电路制造工艺发展的驱动力，也是最为复杂的技术之一。相对与其它单个制造技术来说，光刻技术的提高对集成电路的发展具有重要意义。在光刻工艺开始之前，首先需要将图案通过特定设备复制到掩膜版上，然后通过光刻设备产生特定波长的光将掩膜版上的图案结构复制到生产芯片的硅片上。但是由于半导体器件尺寸的缩小，在将图案转移到硅片的过程中会发生失真现象，如果不消除这种失真现象会导致整个制造技术的失败。因此，为了解决所述问题可以对所述掩膜版进行光学邻近效应修正(OpticalProximity Correction,OPC)，所述OPC方法即为对所述光刻掩膜版进行光刻前预处理，进行预先修改，使得修改补偿的量正好能够补偿曝光系统造成的光学邻近效应。

在OPC过程中为了增加图案的对比度，通常在掩膜版上形成目标图案以及散射条(scattering bar，sbar)，其中所述sbar是对目标图案产生光学邻近效应的周围图形，在曝光后并不形成于所述晶圆上，所述sbar例如选用各种长条、方框等。但是实际操作中很容易将所述sbar形成于所述晶圆上，造成器件失效，引起产品良率降低。

发明内容

本申请至少在一定程度上解决相关技术中的上述技术问题。为此，本申请提出一种光学邻近效应修正中散射条的嵌入方法，以解决上述至少一个技术问题。

为了实现上述目的，本申请第一方面提供了一种光学邻近效应修正中散射条的嵌入方法，包括以下步骤：

获取集成电路上主图形的数据；

根据所述数据依次插入虚拟图形以及散射条；

根据所述散射条的长度和宽度筛选出产生多余图形的散射条；

将筛选出的所述散射条截断成若干散射条段；

执行光学邻近效应修正的步骤。

与现有技术相比，通过将产生多余图形的散射条进行截断，大大降低了多余图形的曝出率，同时还提高了主图形的分辨率，提高了产品的良率。

附图说明

通过阅读下文优选实施方式的详细描述，各种其他的优点和益处对于本领域普通技术人员将变得清楚明了。附图仅用于示出优选实施方式的目的，而并不认为是对本申请的限制。而且在整个附图中，用相同的参考符号表示相同的部件。在附图中：

图1示出了本发明实施例中布图方法的流程图；

图2示出了本发明实施例中插入散射条后的结构示意图；

图3示出了对图2中的散射条进行截断后的结构示意图。

具体实施方式

以下，将参照附图来描述本公开的实施例。但是应该理解，这些描述只是示例性的，而并非要限制本公开的范围。此外，在以下说明中，省略了对公知结构和技术的描述，以避免不必要地混淆本公开的概念。