[发明专利]半导体结构的制作方法

说明书

本发明实施例提供一种半导体结构的制作方法，包括：提供基底；采用原子层沉积工艺，在所述基底上形成氮化硅膜层，所述原子层沉积工艺包括多个循环沉积步骤，在每个所述循环沉积步骤中向所述基底表面提供硅源气体和氮源气体；其中，在每个所述循环沉积步骤之前，还包括修复步骤，所述修复步骤中，向所述基底表面提供含氢的修复气体，所述修复气体包含极性分子，以修复所述基底表面的损伤。本发明实施例有利于修复基底表面的损伤，从而有利于提高半导体结构的良率和电学性能。

技术领域

本发明实施例涉及半导体领域，特别涉及一种半导体结构的制作方法。

背景技术

在制备半导体结构的工艺步骤中，由于工艺需要，制程过程中经常涉及蚀刻工艺，由于蚀刻过程中存在很多不可控因素，虽然目前已经能够较为成熟的通过控制必要的工艺参数来达到工艺需求，但还是会不可避免的对基质表面造成一定的损伤，影响基质与其他膜层之间的贴附效果，也影响半导体结构良率和电学性能。

因而，在刻蚀工艺之后，修复基质表面损伤的问题有待解决。

发明内容

本发明实施例解决的技术问题为提供一种半导体结构的制作方法，有利于修复基质表面的损伤，从而有利于提高半导体结构的良率和电学性能。

为解决上述问题，本发明实施例提供一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括：提供基底；采用原子层沉积工艺，在所述基底上形成氮化硅膜层，所述原子层沉积工艺包括多个循环沉积步骤，在每个所述循环沉积步骤中向所述基底表面提供硅源气体和氮源气体；其中，在每个所述循环沉积步骤之前，还包括修复步骤，所述修复步骤中，向所述基底表面提供含氢的修复气体，所述修复气体包含极性分子，以修复所述基底表面的损伤。

另外，所述修复气体与所述氮源气体为同种气体。

另外，所述修复气体包括氨气。

另外，所述修复步骤包括第一修复步骤和第二修复步骤，所述第一修复步骤处于首次所述循环沉积步骤之前，所述第二修复步骤处于每两个相邻的所述循环沉积步骤之间，且所述第一修复步骤的工艺时长大于所述第二修复步骤的工艺时长。

另外，提供所述基底的步骤包括：提供衬底；在所述衬底上形成相互间隔的位线结构；在所述位线结构表面和所述衬底表面形成缓冲层，且所述缓冲层的材料与所述氮化硅膜的材料不同。

另外，形成所述缓冲层的方法包括低压化学气相沉积法。

另外，在垂直于所述衬底表面的方向上，所述缓冲层的厚度为2nm～6nm。

另外，所述第一修复步骤的工艺时长包括1min～10min。

另外，所述第二修复步骤的工艺时长包括1s～50s。

另外，所述修复气体包括：所述第一修复步骤中的第一修复气体，所述第二修复步骤中的第二修复气体；其中，所述第一修复气体的气体流量大于所述第二修复气体的气体流量。

另外，所述第一修复气体的气体流量包括3L/min～10L/min。

另外，所述第二修复气体的气体流量包括2L/min～5L/min。

另外，在进行所述修复步骤之后，还包括：吹扫步骤，以清除所述修复气体。

另外，所述原子层沉积工艺为热处理原子层沉积工艺，且所述修复步骤采用的工艺为热处理工艺。

另外，所述修复步骤的工艺温度与所述热处理原子层沉积工艺的工艺温度相同。

另外，所述原子层沉积工艺为等离子体原子层沉积工艺，且所述修复步骤采用的工艺为等离子体工艺。

与现有技术相比，本发明实施例提供的技术方案具有以下优点：