[发明专利]一种Micro OLED显示器及其生产方法在审
申请号: | 202110219241.5 | 申请日: | 2021-02-26 |
公开(公告)号: | CN112802886A | 公开(公告)日: | 2021-05-14 |
发明(设计)人: | 程家有;李维维;曹君;赵卓;李雪原 | 申请(专利权)人: | 安徽熙泰智能科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 芜湖安汇知识产权代理有限公司 34107 | 代理人: | 尹婷婷 |
地址: | 241000 安徽省芜湖市芜湖长江*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 micro oled 显示器 及其 生产 方法 | ||
本发明公开了一种Micro OLED显示器及其生产方法,所述生产方法包括以下步骤:在硅片基底上制备CMOS驱动电路得到基底,并按照像素排列结构在基底之上制备AMOLED发光层;在所述AMOLED发光层之上制备无机有机叠加的封装层;在所述封装层之上通过喷墨打印的方式制备有机平坦化层;在所述有机缓冲层之上进行RGB涂布形成彩色滤光层;本发明采用喷墨打印的方式制备有机层和有机平坦化层,可以实现按需制作有机平坦化层和有机层,并采用特定的材料制备有机平坦化层,以解决有机层和有机平坦化层旋涂不均及有机平坦化层与封装层的匹配性的问题,减少工序,提升器件的性能。
技术领域
本发明属于Micro OLED显示技术领域,具体涉及一种Micro OLED显示器及其生产方法。
背景技术
硅基OLED显示作为半导体和OLED结合的一种新型显示技术,将是VR/AR等下一代智能穿戴显示的主要方案。随着5G和AI技术的不断进步,越来越多的穿戴显示产品将会变得更具吸引力。而硅基OLED微型显示器件,具有高分辨率、低功耗、体积小、重量轻等优势,广泛应用于AR、VR、可穿戴设备、工业安防、医疗等高分辨率的近眼显示行业,逐渐成为新型显示产业的重要角力点,市场潜力巨大。有机电致发光显示器(Organic Light EmittingDisplay,OLED)是新一代的显示器,相对于液晶显示器具有自发光、响应快、视角广、色彩饱和等许多优点。
其中,对于RGB涂布之前,需要在蒸镀封装后的基板上沉积一层有机平坦化层,当前采用旋涂方式,其虽然能够满足RGB color filter涂布要求,但是后续需要刻蚀掉pad区有机平坦化层,这样的工序较为复杂。目前基板的封装采用薄膜封装新技术,当采用无机有机叠加方式时,沉积一层有机平坦化层容易旋涂异常,且如果有机平坦化层的材料选用不当会导致其与封装层的匹配较差,影响器件性能的发挥。
发明内容
为解决上述技术问题,本发明提供了一种Micro OLED显示器及其生产方法,采用喷墨打印的方式制备有机层和有机平坦化层,可以实现按需制作有机平坦化层和有机层,并采用特定的材料制备有机平坦化层,以解决有机层和有机平坦化层旋涂不均及有机平坦化层与封装层的匹配性的问题,减少工序,提升器件的性能。
为实现上述目的,本发明采取的技术方案为;
一种Micro OLED显示器的生产方法,包括以下步骤:
(1)在硅片基底上制备CMOS驱动电路得到基底,并按照像素排列结构在基底之上制备AMOLED发光层;
(2)在所述AMOLED发光层之上制备第一无机层,在所述第一无机层之上通过喷墨打印的方式制备有机层,所述有机层的面积小于所述第一无机层的面积,在所述有机层的外表面制备第二无机层,得到位于AMOLED发光层之上的封装层;
(3)在所述封装层之上通过喷墨打印的方式制备有机平坦化层;
(4)在所述有机缓冲层之上进行RGB涂布形成彩色滤光层。
进一步地,所述有机平坦化层的材料为丙烯酸树脂,所述有机平坦化层的厚度为0.5~1.0μm。
所述第一无机层的厚度为500~1000nm,优选为500nm;所述第一无机层的材料为SiN。
所述第二无机层的厚度为500~1000nm,优选为500nm;所述第二无机层的材料为SiN。
所述有机层的厚度为1~6μm,优选为2μm;所述有机层的材料为丙烯酸树脂或者环氧树脂,优选丙烯酸树脂。
所述AMOLED发光层的厚度为100~300nm。
所述彩色滤光层的厚度为1~4μm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的