[发明专利]基于层理发育储层的约束滤波校正电阻率的方法有效

专利信息
申请号: 202110219342.2 申请日: 2021-02-26
公开(公告)号: CN112882112B 公开(公告)日: 2023-05-26
发明(设计)人: 廖勇;曾芙蓉;李光泉;田海涛;陈四平;冯爱国;蒋恕;饶海涛;沈金才;何浩然;石文睿;张新华;季运景;曾保林;石元会;陈国辉;汪钰波;叶鑫 申请(专利权)人: 中国石油化工集团有限公司;中石化石油工程技术服务有限公司;中石化江汉石油工程有限公司;中石化经纬有限公司;中石化经纬有限公司江汉测录井分公司
主分类号: G01V3/18 分类号: G01V3/18;G01V3/38
代理公司: 武汉开元知识产权代理有限公司 42104 代理人: 涂洁
地址: 100728 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 基于 层理 发育 约束 滤波 校正 电阻率 方法
【权利要求书】:

1.一种基于层理发育储层的约束滤波校正电阻率的方法,其特征在于,具体步骤如下:

1)获取待计算井层理发育储层段的测井资料

测井资料包括电阻率RT,以及经滤波后的电阻率RTF;

所述电阻率计量单位Ω·m;

2)计算滤波偏移系数RTFO

按模型RTFO=|RT/RTF-1|;

所述滤波偏移系数RTFO无量纲;

3)得到校正后的电阻率RTT

按约束条件RTFO>0.2,RTT=RTF;RTFO≤0.2,RTT=RT;输出校正后的电阻率RTT;

校正后的电阻率RTT计量单位Ω·m;

4)输出计算结果。

2.如权利要求1所述基于层理发育储层的约束滤波校正电阻率的方法,其特征在于,所述步骤1)的数据按0.1-0.15m采样取点。

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