[发明专利]半导体封装设备和其制造方法

权利要求书

1.一种半导体封装设备，其包括：

第一导电壁；

第二导电壁；

第一绝缘壁，所述第一绝缘壁安置在所述第一导电壁与所述第二导电壁之间；

介电层，所述介电层具有第一部分，所述第一部分覆盖所述第一导电壁的底表面、所述第二导电壁的底表面和所述第一绝缘壁的底表面；

第一电极，所述第一电极电连接到所述第一导电壁；以及

第二电极，所述第二电极电连接到所述第二导电壁。

2.根据权利要求1所述的半导体封装设备，其中所述介电层具有第二部分，所述第二部分覆盖所述第一导电壁的上表面、所述第二导电壁的上表面和所述第一绝缘壁的上表面。

3.根据权利要求1所述的半导体封装设备，其中所述第一导电壁、所述第二导电壁和所述第一绝缘壁被所述介电层包封。

4.根据权利要求1所述的半导体封装设备，其进一步包括载体，其中所述介电层的所述第一部分安置在所述载体与所述第一导电壁的所述底表面、所述第二导电壁的所述底表面和所述第一绝缘壁的所述底表面之间。

5.根据权利要求1所述的半导体封装设备，其进一步包括第二绝缘壁，所述第二绝缘壁安置成与所述第一导电壁相邻。

6.根据权利要求5所述的半导体封装设备，其进一步包括半导体壁，所述半导体壁安置成与所述第二绝缘壁相邻。

7.根据权利要求1所述的半导体封装设备，其中所述第一导电壁的所述底表面、所述第二导电壁的所述底表面和所述第一绝缘壁的所述底表面基本上共面。

8.根据权利要求2所述的半导体封装设备，其中所述第一导电壁的所述上表面、所述第二导电壁的所述上表面和所述第一绝缘壁的所述上表面基本上共面。

9.根据权利要求1所述的半导体封装设备，其中所述绝缘壁、所述第一导电壁和所述第二导电壁具有凹凸结构。

10.一种半导体封装设备，其包括：

第一导电壁；

第二导电壁；

绝缘壁，所述绝缘壁安置在所述第一导电壁与所述第二导电壁之间；

介电层，所述介电层覆盖所述第一导电壁的上表面、所述第二导电壁的上表面和所述绝缘层的上表面；

第一导电通孔，所述第一导电通孔穿透所述介电层并与所述第一导电壁接触；

第二导电通孔，所述第二导电通孔穿透所述介电层并与所述第二导电壁接触；

第一电极，所述第一电极通过所述第一导电通孔电连接到所述第一导电壁；以及

第二电极，所述第二电极通过所述第二导电通孔电连接到所述第二导电壁。

11.根据权利要求10所述的半导体封装设备，其中所述第一电极和所述第二电极处于同一高程。

12.根据权利要求10所述的半导体封装设备，其中所述第一电极和所述第二电极处于不同高程。

13.根据权利要求10所述的半导体封装设备，其中所述第一电极电连接到一组第一导电壁，并且所述第二电极电连接到一组第二导电壁。

14.根据权利要求10所述的半导体封装设备，其中所述第一电极和所述第二电极分别电连接到外部电源的阳极和阴极。

15.根据权利要求10所述的半导体封装设备，其进一步包括钝化层，所述钝化层安置在所述介电层上。

16.根据权利要求15所述的半导体封装设备，其中所述第一电极被所述钝化层包封。