[发明专利]包括存储器单元串的存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法

权利要求书

1.一种用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法，其包括：

在衬底上形成包括导体材料的导体层；

在所述导体层上方形成包括竖直交替的第一层和第二层的堆叠，所述堆叠包括其间具有水平拉长的沟槽的横向间隔开的存储器块区，沟道材料串延伸穿过所述第一层和所述第二层，所述第一层的材料具有与所述第二层的成分不同的成分，所述第一层的最低者厚于其上方的所述第一层，紧接在所述最低第一层上方的所述第二层的第二层材料包括上部第一绝缘材料和在所述上部第一绝缘材料下的下部第二材料，所述下部第二材料具有与所述上部第一绝缘材料的成分不同的成分；

选择性地相对于所述第二层材料各向同性地蚀刻所述第一层材料以在所述第一层中形成空隙空间；

将传导材料沉积到所述沟槽中并沉积到所述第一层中的所述空隙空间中，所述传导材料填充在所述最低第一层上方的所述第一层中的所述空隙空间，所述传导材料不完全填充所述最低第一层中的所述空隙空间；

从所述最低第一层蚀刻所述传导材料；以及

在蚀刻所述传导材料之后，在紧接在所述最低第一层上方的所述第二层中的所述下部第二材料下将导电材料沉积到所述最低第一层的所述空隙空间中，所述导电材料将所述沟道材料串中的个别者的所述沟道材料和所述导体层的所述导体材料直接电耦合在一起。

2.根据权利要求1所述的方法，其包括在沉积所述导电材料之前蚀刻掉所述沟槽中的所有所述传导材料。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述导体层的所述导体材料的至少最上部部分具有与所述导电材料相同的成分。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述最低第一层比其上方的所述第一层厚至少1.5倍。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述最低第一层在所述各向同性蚀刻期间不直接抵靠所述导体层的所述导体材料。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述第二层的最低者在所述各向同性蚀刻期间竖直处于所述导体层的所述导体材料和所述最低第一层之间。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述最低第二层在所述各向同性蚀刻期间薄于其上方的所述第二层。

8.根据权利要求7所述的方法，其中紧接在所述最低第一层上方的所述第二层在所述各向同性蚀刻期间厚于其上方的所述第二层。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述导电材料具有与所述导体层的所述导体材料的至少最上部部分不同的成分。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述沟道材料串的所述沟道材料的最低表面从未直接抵靠所述导体层中的任一个所述导体材料。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述最低第一层的所述空隙空间中的所述导电材料直接抵靠所述沟道材料串的所述沟道材料的侧壁。

12.根据权利要求1所述的方法，其中所述最低第一层的所述空隙空间中的所述导电材料直接抵靠所述导体层的所述导体材料的最上部表面。

13.根据权利要求1所述的方法，其中所述下部第二材料包括以下中的至少一个：导电掺杂的多晶硅、未经导电掺杂的多晶硅、碳掺杂的多晶硅、氮化硅、未掺杂的氮化硅、碳掺杂的氮化硅和金属材料。

14.根据权利要求1所述的方法，其中所述下部第二材料薄于所述上部第一绝缘材料。

15.根据权利要求1所述的方法，其中所述导电材料直接抵靠紧接在所述最低第一层上方的所述第二层中的所述下部第二材料。