[发明专利]一种无极性电容自放电线路

权利要求书

1.一种无极性电容自放电线路，其主要包括：第一无极性电容(1)；第一无极性电容一脚(2)；限流电阻(3)；双向可控硅G脚(4)；双向可控硅T二脚(5)；双向可控硅(6)；双向可控硅T一脚(7)；第二无极性电容(8)；放电负载(9)；第一无极性电容二脚(10)，其特征在于：第一无极性电容一脚(2)与双向可控硅T二脚(5)相连接，第一无极性电容二脚(10)通过放电负载(9)与双向可控硅T一脚(7)相连，双向可控硅G脚(4)通过限流电阻(3)连接到双向可控硅T二脚(5)，双向可控硅G脚(4)通过第二无极性电容(8)连接到双向可控硅T一脚(7)，当第一无极性电容(1)上同上交流电时，双向可控硅T一脚(7)与双向可控硅T二脚(5)之间为交流电，第二无极性电容(8)在交流环境中相当于一根导线，通过限流电阻(3)上的电流不会经过双向可控硅G脚(4)流向双向可控硅(6)或不会经过双向可控硅(6)流向双向可控硅G脚(4)，双向可控硅T二脚(5)与双向可控硅T一脚(7)之间不导通，因为双向可控硅(6)触发电压很小，限流电阻(3)电阻很大，放电负载(9)上只有微小电流通过，即在第一无极性电容(1)使用过程中，放电负载(9)能耗低，发热小，当第一无极性电容(1)上外部交流电断开时候，第一无极性电容(1)储存的电为直流电，在直流环境中第二无极性电容(8)相当于断开，通过限流电阻(3)上的电流会经过双向可控硅G脚(4)流向双向可控硅(6)或从双向可控硅(6)流向双向可控硅G脚(4)，双向可控硅T二脚(5)与双向可控硅T一脚(7)之间导通，第一无极性电容(1)上的电流通过放电负载(9)快速放电，本线路当双向可控硅T一脚(7)与双向可控硅T二脚(5)之间为交流电时，双向可控硅T二脚(5)与双向可控硅T一脚(7)之间不导通，当双向可控硅T一脚(7)与双向可控硅T二脚(5)之间为直流电时，双向可控硅T二脚(5)与双向可控硅T一脚(7)之间导通，构成阻断交流电通直流电路，当第二无极性电容(8)换成电感，则当双向可控硅T一脚(7)与双向可控硅T二脚(5)为交流电时，双向可控硅T二脚(5)与双向可控硅T一脚(7)之间导通，当双向可控硅T一脚(7)与双向可控硅T二脚(5)之间为直流电时，双向可控硅T二脚(5)与双向可控硅T一脚(7)之间不导通，构成阻断直流电通交流电电路。

2.根据权利要求1所述的一种无极性电容自放电线路，其特征在于：双向可控硅G脚(4)与双向可控硅(6)通过双向触发二极管相连，确定双向可控硅(6)的触发电压，双向可控硅G脚(4)与双向可控硅(6)之间或不接双向触发二极管，双向可控硅G脚(4)与双向可控硅(6)通过电阻相连或不通过电阻相连。

3.根据权利要求1所述的一种无极性电容自放电线路，其特征在于：限流电阻(3)的上接线端或下接线端串联接上电位器，扩大本电路适用的电容的范围，限流电阻(3)的上接线端或下接线端或不串联接上电位器，第二无极性电容(8)改成可调电容，扩大本电路适用的电容的范围，第二无极性电容(8)为可调电容或固定容量电容。

4.根据权利要求1所述的一种无极性电容自放电线路，其特征在于：第一无极性电容一脚(2)与双向可控硅T二脚(5)相连接，第一无极性电容二脚(10)通过放电负载(9)与双向可控硅T一脚(7)相连，或第一无极性电容二脚(10)与双向可控硅T一脚(7)直接相连，第一无极性电容一脚(2)与双向可控硅T二脚(5)通过放电负载(9)相连接。

5.根据权利要求1所述的一种无极性电容自放电线路，其特征在于：限流电阻(3)的上接线端或下接线端串联接上电感，起到阻挡交流电作用继而能缩小限流电阻(3)的阻值的作用，限流电阻(3)的上接线端或下接线端或不串联接上电感。

6.根据权利要求1所述的一种无极性电容自放电线路，其特征在于：第一无极性电容(1)接上的交流电换成脉动直流电，本电路依然起到相同作用。

7.根据权利要求1所述的一种无极性电容自放电线路，其特征在于：双向可控硅(6)由两只反极性并联的可控硅替代，或直接使用双向可控硅。

8.根据权利要求1所述的一种无极性电容自放电线路，其特征在于：双向可控硅G脚(4)通过限流电阻(3)连接到双向可控硅T二脚(5)，双向可控硅G脚(4)通过第二无极性电容(8)连接到双向可控硅T一脚(7)，或双向可控硅G脚(4)通过第二无极性电容(8)连接到双向可控硅T二脚(5)，双向可控硅G脚(4)通过限流电阻(3)连接到双向可控硅T一脚(7)。