[发明专利]集成磁元件装置以及变换器有效
| 申请号： | 202110222578.1 | 申请日： | 2021-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN112563000B | 公开（公告）日： | 2021-05-07 |
| 发明（设计）人： | 吴新科;杨金旭;刘钢;平定钢 | 申请（专利权）人： | 杭州富特科技股份有限公司;浙江大学 |
| 主分类号： | H01F27/34 | 分类号： | H01F27/34;H01F27/28 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 张萌 |
| 地址： | 310000 浙江省杭州市西湖区西*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 集成 元件 装置 以及 变换器 | ||
1.一种集成磁元件装置，其特征在于，包括：原副边绕组和磁芯；
所述原副边绕组围绕设置于所述磁芯上，所述原副边绕组用于为变压器以及电感提供绕组；
所述磁芯的窗口外侧处的所述原副边绕组的耦合程度高于预设耦合程度；
所述磁芯的窗口内侧处的所述原副边绕组的耦合程度低于所述预设耦合程度；
所述磁芯的窗口外侧处的所述原副边绕组围绕所述磁芯的设置交错程度，大于预设交错程度，以减小所述磁芯对外扩散漏磁通；
所述磁芯的窗口内侧处的所述原副边绕组围绕所述磁芯的设置交错程度，小于所述预设交错程度，以增大所述磁芯的窗口内侧的漏磁通；
所述磁芯的窗口外侧处对应的所述设置交错程度以及所述磁芯的窗口内侧处对应的所述设置交错程度，是根据所述原副边绕组的绕线长度和所述磁芯的内侧和外侧的漏磁通数值确定。
2.根据权利要求1所述的集成磁元件装置，其特征在于，在所述磁芯的窗口内侧处的所述原副边绕组之间，插入设置有额外磁柱，以增大所述磁芯的窗口内侧的漏磁通。
3.根据权利要求2所述的集成磁元件装置，其特征在于，所述额外磁柱在所述磁芯的窗口内侧处的位置以及数量，是根据所述原副边绕组的绕线长度和所述磁芯的内侧和外侧的漏磁通数值确定。
4.根据权利要求2所述的集成磁元件装置，其特征在于，所述原副边绕组围绕所述磁芯的绕制形式，以及所述额外磁柱在所述磁芯的窗口内侧处的设置插入形式，是根据所述磁芯的结构确定，以减小所述绕组的绕线长度。
5.根据权利要求2所述的集成磁元件装置，其特征在于，所述变压器的主磁路为E型磁芯结构。
6.根据权利要求5所述的集成磁元件装置，其特征在于，所述原副边绕组围绕所述主磁路的绕制形式，以及所述额外磁柱在所述主磁路的窗口内侧处的设置插入形式，是根据所述E型磁芯结构确定。
7.一种变换器，其特征在于，包括：目标变压器、目标电感以及如权利要求1-6任一项所述的集成磁元件装置；
所述集成磁元件装置中的原副边绕组为所述目标变压器的绕组以及所述目标电感的绕组。
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