[发明专利]一种基于半导体温差发电片的光功率计在审
申请号: | 202110222787.6 | 申请日: | 2021-02-26 |
公开(公告)号: | CN112985592A | 公开(公告)日: | 2021-06-18 |
发明(设计)人: | 李德龙 | 申请(专利权)人: | 山东芯源光电科技有限公司 |
主分类号: | G01J1/42 | 分类号: | G01J1/42 |
代理公司: | 北京汲智翼成知识产权代理事务所(普通合伙) 11381 | 代理人: | 陈曦;王鹏丽 |
地址: | 276188 山东*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 半导体 温差 发电 功率 | ||
1.一种基于半导体温差发电片的光功率计,其特征在于包括:
温差发电片,所述温差发电片包括热端板件、热电偶组和冷端板件,所述热端板件设置在所述热电偶组的第一侧,所述冷端板件设置在所述热电偶组的第二侧;所述热电偶组的第一端为正极,所述热电偶组的第二端为负极;
光吸收集热板件,所述光吸收集热板件设置在所述热端板件上远离所述热电偶组的一侧,用于吸收入射光线以产生热量并能够将热量传导给所述热端板件;
电位器和电压表,所述电位器具有第一电连接端、第二电连接端和调压端,所述第一电连接端和第二电连接端分别与所述热电偶组的正极和负极导线连接,所述电压表的第一端与所述热电偶组的正极或负极导线连接,所述电压表的第二端与所述电位器的调压端导线连接;
散热件,所述散热件设置在所述冷端板件上远离所述热电偶组的一侧,用于吸收从热端板件传导到冷端板件上的热量以使冷端板件快速冷却。
2.如权利要求1所述的光功率计,其特征在于:
所述光吸收集热板件和所述温差发电片的热端板件可以用一体的黑色的、导热率较好、导电性较差的材料替代。
3.如权利要求2所述的光功率计,其特征在于:
所述光吸收集热板件和所述热端板件是由黑色碳化硅、黑色氮化硅、黑色硅片中的任意一种制成的一体板件。
4.如权利要求1所述的光功率计,其特征在于:
所述光吸收集热板件的远离所述热端板件的一侧为深色。
5.如权利要求4所述的光功率计,其特征在于:
所述光吸收集热板件由石墨片、石墨烯散热片、黑色碳化硅片、黑硅片或表面氧化成黑色的铝合金片制成板状结构。
6.如权利要求1所述的光功率计,其特征在于:
所述光吸收集热板件粘贴或焊接在所述热端板件上;所述散热件粘贴或焊接在所述冷端板件上。
7.如权利要求1所述的光功率计,其特征在于:
所述散热件的热容量远大于所述光吸收集热板件和所述温差发电片的热容量之和;
所述散热件的热容量与所述光吸收集热板件和所述温差发电片的热容量之和的比值,大于系统测量误差绝对值的倒数。
8.如权利要求1所述的光功率计,其特征在于:
所述热电偶组包括多个半导体组和多个铜电极片,所述半导体组包括一个N型半导体和一个P型半导体,所述多个半导体组通过所述多个铜电极片依次串联,且首尾两端的铜电极片形成所述正极和负极;
所述N型半导体和所述P型半导体采用碲化铋半导体材料。
9.如权利要求1所述的光功率计,其特征在于:
所述热端板件由氧化铝陶瓷、氮化铝陶瓷、铝基板或铜基板制成板状结构;所述冷端板件由氧化铝陶瓷、氮化铝陶瓷、铝基板或铜基板制成板状结构。
10.如权利要求1所述的光功率计,其特征在于:
所述电压表的小数点位置可调。
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