[发明专利]半导体封装装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体封装装置，包括：

衬底；

桥接重布线层，设置于所述衬底上；

第一重布线层和第二重布线层，均设置于所述衬底和所述桥接重布线层上，且分别通过导电导孔与所述桥接重布线层电连接，所述第一重布线层和所述第二重布线层通过所述桥接重布线层实现电连接；

第一裸晶片和第二裸晶片，分别设置于所述第一重布线层和所述第二重布线层上，且分别与所述第一重布线层和所述第二重布线层电连接；

封装材，位于所述衬底上且包覆所述桥接重布线层、所述第一重布线层、所述第二重布线层、所述第一裸晶片和所述第二裸晶片。

2.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其中，所述第一重布线层和第二重布线层分别通过导电导孔与所述桥接重布线层电连接，包括：

所述第一重布线层和所述第二重布线层分别具有第一导电通孔和第二导电通孔，且分别通过所述第一导电通孔和所述第二导电通孔电连接所述桥接重布线层。

3.根据权利要求2所述的半导体封装装置，其中，所述第一重布线层和所述第二重布线层分别具有第三导电通孔和第四导电通孔，且分别通过所述第三导电通孔和所述第四导电通孔电连接所述衬底。

4.根据权利要求3所述的半导体封装装置，其中，所述第一导电通孔、所述第二导电通孔、所述第三导电通孔和所述第四导电通孔的孔壁设置种子层，孔内设置有金属层。

5.根据权利要求4所述的半导体封装装置，其中，所述第一导电通孔、所述第二导电通孔、所述第三导电通孔和所述第四导电通孔的孔径在5到20微米之间。

6.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其中，所述半导体封装装置还包括：

第一粘合层，设置于所述桥接重布线层和所述衬底上表面之间。

7.根据权利要求1所述的半导体封装装置，其中，所述半导体封装装置还包括：

第二粘合层，设置于所述衬底和所述第一重布线层以及所述第二重布线层之间，所述桥接重布线层、所述衬底和所述第二粘合层三者之间形成空隙。

8.一种制造半导体封装装置的方法，包括：

提供衬底、桥接重布线结构、第一重布线结构和第二重布线结构，所述桥接重布线结构包括桥接载板和设置于所述桥接载板上的桥接重布线层，所述第一重布线结构包括第一载板和设置于所述第一载板上的第一重布线层，所述第二重布线结构包括第二载板和设置于所述第二载板上的第二重布线层；

将所述桥接重布线结构固定于所述衬底上后移除所述桥接载板；

将所述第一重布线结构和所述第二重布线结构分别固定于所述桥接重布线层和所述衬底，以使得所述第一重布线结构和所述第二重布线结构部分位于所述衬底上部分位于所述桥接重布线层上；

去除所述第一载板和所述第二载板；

分别在所述第一重布线层和所述第二重布线层背离所述衬底的表面向所述衬底方向开导孔，以及在开的导孔内形成导电材料得到导电导孔，以使得所述第一重布线层和所述第二重布线层均通过导电导孔与所述桥接重布线层电连接，所述第一重布线层和所述第二重布线层通过所述桥接重布线层实现电连接；

将第一裸晶片和第二裸晶片分别键合到所述第一重布线层和所述第二重布线层；

模封以形成封装材，所述封装材位于所述衬底上且包覆所述桥接重布线层、所述第一重布线层、所述第二重布线层、所述第一裸晶片和所述第二裸晶片。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述分别在所述第一重布线层和所述第二重布线层背离所述衬底的表面向所述衬底方向开导孔，以及在开的导孔内形成导电材料得到导电导孔，以使得所述第一重布线层和所述第二重布线层均通过所开的导电导孔与所述桥接重布线层电连接，包括：

分别在所述第一重布线层和所述第二重布线层背离所述衬底的表面向所述衬底方向开第一导电通孔和第二导电通孔，以及在所述第一导电通孔和所述第二导电通孔内形成导电材料，以使得所述第一重布线层和所述第二重布线层分别通过所述第一导电通孔和所述第二导电通孔与所述桥接重布线层电连接。