[发明专利]一种正面电极及其制备方法在审
申请号: | 202110223589.1 | 申请日: | 2021-02-26 |
公开(公告)号: | CN113035974A | 公开(公告)日: | 2021-06-25 |
发明(设计)人: | 刘国民 | 申请(专利权)人: | 上海日御新材料科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/054;H01L31/18 |
代理公司: | 郑州欧凯专利代理事务所(普通合伙) 41166 | 代理人: | 陈凌 |
地址: | 201100 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 正面 电极 及其 制备 方法 | ||
1.一种正面电极,其特征在于,包括等间距均匀分布在硅基体正面上的条状复合银电极,所述复合银电极的截面为三角形,该三角形的两个底角角度为45-80°;其中,所述复合银电极的最大宽度为15-60微英寸,所述复合银电极具有上层和下层复合结构,所述下层为银电极,上层为铜电极,所述上层和下层的高度比为2-5:1。
2.根据权利要求1所述的正面电极,其中,该三角形的两个底角角度为60-80°。
3.根据权利要求1所述的正面电极,其中,所述复合银电极的最大宽度为15-40微英寸。
4.根据权利要求1所述的正面电极,其中,所述上层和下层的高度比为3-5:1。
5.权利要求1-4中任意一项所述的正面电极的制备方法,其特征在于,该方法包括:
(1)在已经经过制绒、扩散、后清洗、镀膜和印刷背面电极工艺处理后的硅基体的正表面上印刷上梯形的银电极;
(2)对印刷于硅基体的正表面上的银电极进行第一金属化处理;
(3)在金属化处理后的银电极的表面上印刷上三角形的铜电极,形成电极叠层;
(4)对铜电极进行第二金属化处理,形成铜银合金的正面电极。
6.根据权利要求5所述的方法,其中,所述第一金属化处理的条件包括:带速为150-250英寸/分钟,烧结温度为750-950℃,压缩空气的量程为25-40%。
7.根据权利要求6所述的方法,其中,所述第一金属化处理的条件包括:带速为200-210英寸/分钟,烧结温度为800-900℃,压缩空气的量程为25-30%。
8.根据权利要求5所述的方法,其中,所述第二金属化处理的条件包括:带速为210-300英寸/分钟,烧结温度为910-950℃,氢气的量程为20-30%。
9.根据权利要求8所述的方法,其中,所述第二金属化处理的条件包括:带速为230-250英寸/分钟,烧结温度为920-930℃,氢气的量程为24-28%。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海日御新材料科技有限公司,未经上海日御新材料科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110223589.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种自动化毛绒半精纺梳理机
- 下一篇:自动除霜设备
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的