[发明专利]一种鳍式场效应晶体管及半导体器件在审
| 申请号： | 202110224048.0 | 申请日： | 2021-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN113035957A | 公开（公告）日： | 2021-06-25 |
| 发明（设计）人： | 杨忙;张玉静;陈尚志 | 申请（专利权）人： | 泉芯集成电路制造（济南）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆宗力 |
| 地址： | 250101 山东省济南市*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 场效应 晶体管 半导体器件 | ||
1.一种鳍式场效应晶体管，其特征在于，包括：
第一导电类型衬底，所述第一导电类型衬底包括相对的第一面和第二面；
位于所述第一导电类型衬底中的第二导电类型深阱层；
位于所述第一导电类型衬底中且位于所述第二导电类型深阱层朝向所述第一面一侧的表面的第一导电类型阱层和第二导电类型阱层，所述第一导电类型阱层和所述第二导电类型阱层背离所述第二导电类型深阱层一侧表面与所述第一面齐平；其中，所述第二导电类型深阱层在所述第二面的正投影覆盖所述第二导电类型阱层在所述第二面的正投影，且所述第二导电类型阱层在所述第二面的正投影完全覆盖所述第一导电类型阱层在所述第二面的正投影；
以及，位于所述第一导电类型阱层背离所述第二导电类型深阱层一侧的至少一个第一导电类型鳍部，及位于所述第二导电类型阱层背离所述第二导电类型深阱层一侧的至少一个第二导电类型鳍部。
2.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管制程中二极管，其特征在于，所述第二导电类型深阱层在所述第二面的正投影与所述第二导电类型阱层在所述第二面的正投影重合。
3.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管制程中二极管，其特征在于，所述第二导电类型深阱层在所述第二面的正投影完全覆盖所述第二导电类型阱层在所述第二面的正投影。
4.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管制程中二极管，其特征在于，所述第一导电类型为P型，且所述第二导电类型为N型。
5.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管制程中二极管，其特征在于，所述第一导电类型为N型，且所述第二导电类型为P型。
6.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管制程中二极管，其特征在于，所述鳍式场效应晶体管制程中二极管还包括：
位于所述第一面的浅沟道隔离层，所述浅沟道隔离层包括与所述第一导电类型鳍部和所述第二导电类型鳍部一一对应的浅沟道。
7.根据权利要求6所述的鳍式场效应晶体管制程中二极管，其特征在于，所述浅沟道隔离层为氧化物浅沟道隔离层。
8.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管制程中二极管，其特征在于，所述鳍式场效应晶体管制程中二极管还包括：
位于所述第一导电类型鳍部背离所述第一导电类型衬底一侧的第一导电类型外延层，及位于所述第二导电类型鳍部背离所述第一导电类型衬底一侧的第二导电类型外延层。
9.根据权利要求1所述的鳍式场效应晶体管制程中二极管，其特征在于，所述第一导电类型衬底为硅衬底。
10.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括权利要求1-9任意一项所述的鳍式场效应晶体管制程中二极管。
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