[发明专利]硅通孔的测试结构及测试方法

权利要求书

1.一种硅通孔的测试结构，其特征在于，包括：

半导体衬底；

至少一种参考测试单元，位于所述半导体衬底中，用于输出测试数据，包括参考测试沟槽电容组以及硅通孔结构，其中所述参考测试沟槽电容组环绕所述硅通孔结构分布；

基准测试单元，位于所述半导体衬底中，用于输出基准数据，包括基准测试沟槽电容组，所述基准测试沟槽电容组与所述参考测试沟槽电容组的结构相同。

2.根据权利要求1所述的硅通孔的测试结构，其特征在于，所述参考测试沟槽电容组和所述基准测试沟槽电容组均包括：

内沟槽测试电容组，包括若干环绕分布的内沟槽测试电容；

外沟槽测试电容组，包括若干围绕所述内沟槽测试电容组分布的外沟槽测试电容。

3.根据权利要求2所述的硅通孔的测试结构，其特征在于，相邻所述内沟槽测试电容之间连接或不连接。

4.根据权利要求2所述的硅通孔的测试结构，其特征在于，相邻所述外沟槽测试电容之间不连接。

5.根据权利要求2所述的硅通孔的测试结构，其特征在于，所述内沟槽测试电容和所述外沟槽测试电容对应设置且平行分布。

6.根据权利要求2所述的硅通孔的测试结构，其特征在于，所述内沟槽测试电容包括：

内沟槽，位于所述半导体衬底中；

第一内极板，位于所述内沟槽的底部和侧壁上，以及部分所述半导体衬底上；

内介电层，位于所述第一内极板表面，且露出所述半导体衬底上的部分所述第一内极板；

第二内极板，位于所述内介电层表面，且填满所述内沟槽；

各所述内沟槽测试电容的第二内极板并联。

7.根据权利要求6所述的硅通孔的测试结构，其特征在于，还包括第一测量盘，各所述内沟槽测试电容的第二内极板并联且连接至所述第一测量盘。

8.根据权利要求6所述的硅通孔的测试结构，其特征在于，所述外沟槽测试电容包括：

外沟槽，位于所述半导体衬底中；

第一外极板，位于所述外沟槽的底部和侧壁上，以及部分所述半导体衬底上；

外介电层，位于所述第一外极板表面，且露出所述半导体衬底上的部分所述第一外极板；

第二外极板，位于所述外介电层表面，且填满所述外沟槽；

各所述外沟槽测试电容的第二外极板并联。

9.根据权利要求8所述的硅通孔的测试结构，其特征在于，还包括第二测量盘，各所述外沟槽测试电容的第二外极板并联且连接至所述第二测量盘。

10.根据权利要求8所述的硅通孔的测试结构，其特征在于，所述第一内极板、所述第一外极板与所述半导体衬底并联，且连接至第三测量盘。

11.根据权利要求1所述的硅通孔的测试结构，其特征在于，所述硅通孔结构包括：

至少一个硅通孔，所述硅通孔位于所述半导体衬底中；

隔离层，位于所述硅通孔的底部和侧壁表面，且高于所述半导体衬底的表面；

导电层，位于所述隔离层表面且填满所述硅通孔；

各所述硅通孔结构的导电层并联。

12.根据权利要求11所述的硅通孔的测试结构，其特征在于，各所述硅通孔结构的导电层并联连接至第四测量盘。

13.根据权利要求1所述的硅通孔的测试结构，其特征在于，包括第一参考测试单元和第二参考测试单元，且所述第一参考测试单元和第二参考测试单元的硅通孔数量不同。