[发明专利]用于耦接多个半导体装置的设备和方法在审
申请号: | 202110225352.7 | 申请日: | 2021-03-01 |
公开(公告)号: | CN113363243A | 公开(公告)日: | 2021-09-07 |
发明(设计)人: | M·B·莱斯利;T·M·霍利斯;R·E·格雷夫 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
主分类号: | H01L25/065 | 分类号: | H01L25/065 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 王龙 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 耦接多个 半导体 装置 设备 方法 | ||
1.一种设备,其包括:
多个半导体装置,所述多个半导体装置包含第一半导体装置、第二半导体装置和第三半导体装置,所述多个半导体装置中的每个半导体装置包含耦接到相应半导体装置的至少一个电路的管芯焊盘,并且进一步包含耦接到所述管芯焊盘并进一步耦接到第一接合焊盘和第二接合焊盘的重新分布层结构,其中所述第一半导体装置的所述第二接合焊盘耦接到所述第二半导体装置的所述第一接合焊盘,并且所述第二半导体装置的所述第二接合焊盘耦接到所述第三半导体装置的所述第一接合焊盘。
2.根据权利要求1所述的设备,其中所述多个半导体装置包含在半导体装置的堆叠中。
3.根据权利要求2所述的设备,其中所述多个半导体装置以交错的方式堆叠,并且暴露所述多个半导体装置中的半导体装置中的每个半导体装置的边缘区域,其中相应第一接合焊盘和第二接合焊盘定位于所述多个半导体装置的所述边缘区域处。
4.根据权利要求1所述的设备,其中所述第一半导体装置的所述第二接合焊盘通过接合线耦接到所述第二半导体装置的所述第一接合焊盘,并且所述第二半导体装置的所述第二接合焊盘通过另一条接合线耦接到所述第三半导体装置的所述第一接合焊盘。
5.根据权利要求1所述的设备,其中所述多个半导体装置中的每个半导体装置的所述重新分布层结构呈U形。
6.根据权利要求1所述的设备,其中所述多个半导体装置中的每个半导体装置的所述重新分布层结构包含在所述管芯焊盘与所述第一接合焊盘之间延伸的第一部分并且进一步包含在所述管芯焊盘与所述第二接合焊盘之间延伸的第二部分。
7.根据权利要求6所述的设备,其中所述多个半导体装置中的每个半导体装置的所述重新分布层结构进一步包含耦接到所述第一部分和所述第二部分并进一步耦接到所述管芯焊盘的第三部分。
8.根据权利要求1所述的设备,其进一步包括:
外部电路,所述外部电路耦接到所述第一半导体装置的所述第一接合焊盘;以及
衬底,所述衬底包含导电信号线,其中所述多个半导体装置和所述外部电路附接到所述衬底,并且所述外部电路通过所述导电信号线耦接到所述第一半导体装置的所述第一接合焊盘。
9.根据权利要求1所述的设备,其中所述多个半导体装置中的每个半导体装置的相应管芯焊盘包含在沿相应半导体装置的中心区域定位的外围电路区中。
10.根据权利要求1所述的设备,其中所述多个半导体装置中的每个半导体装置的相应管芯焊盘通过所述接合焊盘和所述重新分布层结构以菊链的形式耦接在一起。
11.一种多管芯装置,其包括:
衬底,所述衬底包含导电信号线;
半导体装置的堆叠,所述堆叠附接到所述衬底,所述堆叠中的所述半导体装置中的每个半导体装置包含端子和耦接到所述端子的重新分布层结构,并且其中所述堆叠中的所述半导体装置的所述端子通过所述重新分布层结构以菊链的形式耦接在一起;以及
电路,所述电路附接到所述衬底并且通过所述导电信号线耦接到半导体装置的所述堆叠中的第一半导体装置。
12.根据权利要求11所述的多管芯装置,其中所述半导体装置中的每个半导体装置进一步包含第一接合焊盘和第二接合焊盘,其中所述第一接合焊盘耦接到所述重新分布层结构的第一部分,并且所述第二接合焊盘耦接到所述重新分布层结构的第二部分。
13.根据权利要求12所述的多管芯装置,其中每个半导体装置的所述第一接合焊盘和所述第二接合焊盘定位于边缘区域处,并且所述端子包含在沿相应半导体装置的中心区域定位的外围电路区中。
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