[发明专利]芯片上片方法

说明书

本发明涉及芯片技术领域，公开了一种芯片上片方法。本发明的芯片上片方法，包括以下步骤：S100、对晶圆进行切割得到多个芯片，S200、在得到的多个芯片的金属层面粘贴保护膜，S300、撕除多个芯片的硅片层面的胶膜；S400、抓取移动机构抓取芯片的硅片层面，并使芯片从保护膜上分离，S500、抓取移动机构抓取与保护膜分离的芯片的金属层面，S600、使芯片的硅片层面贴附到基板上，完成芯片上片。本发明的芯片上片方法，抓取机构抓取芯片的硅片层面，使芯片与保护膜分离，此时邻边芯片的硅片层面朝上，邻边芯片的弯曲强度增大，使得邻边芯片不易破裂，提高了芯片良率。

技术领域

本发明实施例涉及芯片技术领域，具体涉及一种芯片上片方法。

背景技术

半导体封装是指将通过测试的晶圆按照产品型号及功能需求加工得到独立芯片的过程。封装过程为：来自晶圆前道工艺的晶圆通过划片工艺后被切割为小的芯片(Die)，然后将切割好的芯片用银胶或胶带(DAF)贴装到相应的基板架(引线框架)的小岛上，再利用超细的金属(金银铜铝)导线或者导电性树脂将芯片的接合焊盘(Bond Pad)连接到基板的相应引脚(Lead),并构成所要求的电路。

晶圆包括金属层和硅片层。加工完成的晶圆在切割时，在晶圆的硅片层面(背面)粘贴有基膜，晶圆切割成多个芯片时，芯片的硅片层面粘连在基膜上。切割后的芯片，抓取移动机构抓取芯片的金属层面，然后将芯片的硅片层面贴附到基板上，完成芯片的上片。

但现有技术中的抓取移动机构在抓取芯片时，与被抓取芯片相邻的邻边芯片的金属层面朝上，当芯片较薄时，邻边芯片容易因弯曲变形(邻边芯片呈笑脸状弯曲)造成邻边芯片的破裂。

发明内容

本发明的目的在于提供一种芯片上片方法，以解决上述背景技术中的问题。

本发明实施例提供一种芯片上片方法，所述芯片包括：金属层和硅片层，包括以下步骤：

S100、对晶圆进行切割得到多个芯片；

S200、在得到的多个芯片的金属层面粘贴保护膜；

S300、撕除多个芯片的硅片层面的胶膜；

S400、抓取移动机构抓取芯片的硅片层面，并使芯片从保护膜上分离；

S500、抓取移动机构抓取与保护膜分离的芯片的金属层面；

S600、使芯片的硅片层面贴附到基板上，完成芯片上片。

基于上述方案可知，本发明的芯片上片方法，包括以下步骤：S100、对晶圆进行切割得到多个芯片；S200、在得到的多个芯片的金属层面粘贴保护膜；S300、撕除多个芯片的硅片层面的胶膜；S400、抓取移动机构抓取芯片的硅片层面，并使芯片从保护膜上分离；S500、抓取移动机构抓取与保护膜分离的芯片的金属层面；S600、使芯片的硅片层面贴附到基板上，完成芯片上片。本发明的芯片上片方法，抓取机构抓取芯片的硅片层面使芯片与保护膜分离，此时邻边芯片的硅片层面朝上，邻边芯片的弯曲强度增大(芯片呈哭脸状弯曲)，使得邻边芯片不易破裂，提高了芯片良率。

在一种可行的方案中，在步骤S200中，所述保护膜为UV膜。

在一种可行的方案中，在步骤S300和步骤S400之间，还包括以下步骤：

S401、通过紫外线照射解除UV膜的粘性。

在一种可行的方案中，步骤S400具体包括：利用抓取移动机构的第一吸嘴吸抓芯片的硅片层面，使芯片从UV膜上脱离。

在一种可行的方案中，步骤S400还包括以下步骤：

S410、抓取移动机构的第一吸嘴带动与UV膜脱离的芯片翻转90°。