[发明专利]用于产生相位正交的射频信号的装置有效
申请号: | 202110225804.1 | 申请日: | 2021-03-01 |
公开(公告)号: | CN113395078B | 公开(公告)日: | 2023-06-06 |
发明(设计)人: | F·里沃伊拉德;F·戈捷 | 申请(专利权)人: | 意法半导体(ALPS)有限公司 |
主分类号: | H04B1/40 | 分类号: | H04B1/40 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 罗利娜 |
地址: | 法国格*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 产生 相位 正交 射频 信号 装置 | ||
1.一种电子设备,包括:
混频器模块,包括:
电压/电流跨导级,包括第一晶体管;以及
极化电路,包括极化输入和两个电阻器,所述两个电阻器分别连接在所述第一晶体管的栅极之间,所述极化输入被配置为接收可调节的极化偏置电压以用于设置在所述第一晶体管中循环的电流;
第一电流放大器块,具有第一电容器和第三晶体管,其中所述第一电容器被连接在所述第一晶体管中的第一个晶体管的栅极与所述第三晶体管的栅极之间;以及
第二电流放大器块,具有第二电容器和第四晶体管,其中所述第二电容器被连接在所述第一晶体管中的第二个晶体管的栅极与所述第四晶体管的栅极之间;以及
混频级,被连接到所述电压/电流跨导级,所述混频级包括:
第二晶体管;
电阻退化电路,被连接到所述第二晶体管的源极;以及
校准输入,被连接到所述第二晶体管的栅极,并且被配置为接收可调节的校准电压,其中所述第一晶体管的源极被直接连接到冷电源点。
2.根据权利要求1所述的电子设备,其中所述第一电流放大器块的所述第三晶体管具有:源极,连接到电源端子;以及漏极,连接到所述第一晶体管中的第一个晶体管的漏极;并且
所述第二电流放大器块的所述第四晶体管具有:源极,连接到所述电源端子;以及漏极,连接到所述第一晶体管中的第二个晶体管的漏极。
3.根据权利要求1所述的电子设备,
其中所述跨导级还包括第一输入接口,所述第一输入接口包括两个第一输入端子,所述两个第一输入端子分别被连接到两个第一晶体管的栅极;以及
其中所述混频级还包括:
第二输入接口,包括两个第二输入端子,所述两个第二输入端子分别被连接到两对所述第二晶体管的所述栅极;以及
输出接口,包括两个输出端子,每个输出端子被连接到属于两个不同对的两个所述第二晶体管的漏极。
4.根据权利要求3所述的电子设备,其中所述两个第一输入端子被配置为分别接收具有偏移180°的正弦形状的两个第一信号,其中所述两个第二输入端子被配置为分别接收具有偏移180°的正弦形状的两个第二信号,并且其中所述两个第二信号与所述两个第一信号相同或者相对于所述两个第一信号偏移90°。
5.根据权利要求4所述的电子设备,还包括:
信号发生器,具有:两个第一产生端子,被配置为产生偏移180°的两个第一正弦信号;以及两个第二产生端子,被配置为产生偏移180°的两个第一余弦信号,所述第一正弦信号和所述第一余弦信号具有相同的初始频率;
第一混频器模块,包括:两个第一输入端子,分别被连接到所述两个第一产生端子;以及两个第二输入端子,分别被连接到所述两个第一产生端子;
第二混频器模块,包括:两个第一输入端子,分别被连接到所述两个第二产生端子;以及两个第二输入端子,分别被连接到所述两个第二产生端子;
其中所述第一混频器模块的两个输出端子分别被连接到所述第二混频器模块的两个相对的输出端子,从而形成两个第一输出节点,所述两个第一输出节点被配置为产生偏移180°的、具有所述初始频率的两倍频率的两个第二余弦信号;
第三混频器模块,包括:两个第一输入端子,分别被连接到所述两个第一产生端子;以及两个第二输入端子,分别被连接到所述两个第二产生端子;以及
第四混频器模块,包括:两个第一输入端子,分别被连接到所述两个第二产生端子;以及两个第二输入端子,分别被连接到所述两个第一产生端子;
其中所述第三混频器模块的两个输出端子分别被连接到所述第四混频器模块的两个同源输出端子,从而形成两个第二输出节点,所述两个第二输出节点被配置为产生偏移180°的、具有所述初始频率的两倍频率的两个第二正弦信号。
6.根据权利要求5所述的电子设备,
其中所述信号发生器包括:
信号源,被配置为产生具有所述初始频率的正弦形状的初始信号;以及
多相滤波器,被连接在所述信号源的输出与所述第一产生端子和所述第二产生端子之间;以及
其中所述电子设备还包括电压放大电路,所述电压放大电路被连接在每个混频器模块的每个第二输入端子和对应的产生端子之间。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于意法半导体(ALPS)有限公司,未经意法半导体(ALPS)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110225804.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。