[发明专利]具有改进的突起设计的功率模块壳体在审
申请号: | 202110225949.1 | 申请日: | 2021-03-01 |
公开(公告)号: | CN113314471A | 公开(公告)日: | 2021-08-27 |
发明(设计)人: | 托马斯·施潘 | 申请(专利权)人: | 力特保险丝公司 |
主分类号: | H01L23/04 | 分类号: | H01L23/04;H01L23/40;H01L23/367;H01L23/373;H01L21/48 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 谭营营;胡彬 |
地址: | 美国伊*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 改进 突起 设计 功率 模块 壳体 | ||
本公开的各方面包括一个或多个功率半导体设备模块。功率半导体模块可以包括:功率端子、壳体、散热器和突起,其中壳体包括第一接片和第一突起,并且其中第一接片接触基底,并且第一突起接触散热器。
技术领域
实施例涉及半导体设备领域,特别是在半导体封装中有用的突起。
背景技术
大多数功率半导体设备(诸如可控硅整流器(silicon-controlled rectifier,SCR)、功率晶体管、绝缘栅双极晶体管(insulated gate-bipolar transistor,IGBT)、金属氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field effect transistor,MOSFET)、双极功率整流器、功率调节器或它们组合)被组装在不能提供足够的机械支撑或最佳热传递能力的封装件中。
图1示出了常规功率模块设备(被示出为模块10),其包括壳体1、基底3 (其中在各种实施例中,基底3可以具有设置在壳体1中的上表面和下表面)、以及分别设置在基底3的上表面和下表面上的上金属化件和下金属化件。在各种实施例中,壳体1可以由任何合适的材料构成,包括但不限于环氧树脂、塑料、橡胶、硅树脂或类似材料。在各种实施例中,基底可以由适合于直接铜接合(direct copper bonding,DCB)和/或直接铝结合(directaluminum bonding, DAB)的任何材料构成。在各种实施例中,基底3安装到散热器5上,其中散热器5可以由与常规功率模块相关联的任何合适的材料构成。在各种实施例中,壳体1具有带有用于螺钉将模块10紧固在散热器5上的孔(例如孔2)的形成件。壳体1相对于其上表面具有一个或多个功率端子4,其中功率端子4可以使用与常规功率模块相关联的任何合适的方法来安装。在各种实施例中,一个或多个功率端子4可以具有螺钉孔(未示出)以被连接到外部母线(未示出),并且取决于模块应用。在各种实施例中,热界面材料6(诸如热油脂、一个或多个热垫或相变材料)可以位于散热器5和基底3之间的界面处。各种电气部件(未示出)(例如晶闸管、二极管等)可以包含在壳体1中或者以其他方式与模块10 相关联。
鉴于以上内容,提供了本实施例。
发明内容
至少一个实施例包括功率半导体设备模块。该至少一个功率半导体设备模块包括:与基底接触的壳体、散热器和多个功率端子,其中壳体包括基本上彼此垂直延伸的第一接片和第一突起,并且其中第一突起接触散热器并且第一接片接触基底。
另一实施例包括功率半导体设备模块。该至少一个功率半导体设备模块包括:与基底接触的壳体、散热器和多个功率端子,其中壳体包括基本上彼此垂直的第一接片和第一突起,并且其中第一突起接触散热器并且第一接片接触基底,其中第一突起是跟部。
又一实施例包括功率半导体设备模块。至少一个功率半导体设备模块包括:至少部分地包含在壳体中的功率端子,其中功率端子接触基底,其中壳体包括基本上彼此垂直的接片和第一突起,并且其中第一接片部分地突出到壳体的外部部分,其中至少第一突起接触散热器,并且第一接片接触壳体。在各种实施例中,第一突起是跟部。
又一实施例包括功率半导体设备模块。至少一个功率半导体设备模块包括:至少部分地包含在壳体中的功率端子,其中功率端子接触基底,其中壳体包括基本上彼此垂直的第一接片和第一突起,并且其中第一接片部分地突出到壳体的外部部分,其中第一突起接触散热器,并且其中第一接片接触壳体。在各种实施例中,第一突起是跟部,并且其中多个功率端子与壳体的外部部分相关联。
又一实施例包括功率半导体设备模块。至少一个功率半导体设备模块包括:至少部分地包含在壳体中的功率端子,其中功率端子接触基底,其中壳体包括基本上彼此垂直的第一突起和第一接片,并且其中第一接片部分地突出到壳体的外部部分,其中第一突起接触散热器,并且第一接片接触壳体。在各种实施例中,第一突起是跟部,其中多个功率端子与壳体的外部部分相关联,并且其中基底与壳体的内部部分相关联。
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