[发明专利]体声波滤波器的氮化铝掺杂剂方案在审
| 申请号： | 202110226267.2 | 申请日： | 2021-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN113328032A | 公开（公告）日： | 2021-08-31 |
| 发明（设计）人： | M.D.希尔 | 申请（专利权）人： | 天工方案公司 |
| 主分类号： | H01L41/187 | 分类号： | H01L41/187;H01L41/39 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 于小宁;万欣 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 声波 滤波器 氮化 掺杂 方案 | ||
1.一种声波谐振器，包括由掺杂有铍(Be)、锶(Sr)和钠(Na)中的一种或多种的氮化铝(AlN)形成的压电材料，以增强声波谐振器的性能。
2.如权利要求1所述的声波谐振器，其中，Be、Sr和Na中的所述一种或多种与Si和Ge中的至少一种电荷平衡，并且基板材料具有以下化学式之一：
Al1-2xSrxSixN(0x1)；
Al1-2xSrxGexN(0x1)；
Al1-2xBexSixN(0x1)；
Al1-2xBexGexN(0x1)；
Al1-3xNaxSi2xN(0x1)；或
Al1-3xNaxGe2xN(0x1)。
3.一种声波滤波器，包含权利要求1所述的声波谐振器。
4.如权利要求3所述的声波滤波器，包括包含所述掺杂的AlN的体声波(BAW)谐振器。
5.如权利要求4所述的声波滤波器，其中，所述BAW谐振器是膜体声波谐振器、兰姆波谐振器或表面安装谐振器之一。
6.如权利要求4所述的声波滤波器，包括射频滤波器。
7.一种电子模块，包含如权利要求6所述的声波滤波器。
8.一种电子设备，包含如权利要求7所述的电子模块。
9.如权利要求1所述的声波谐振器，其中，所述压电材料具有纤锌矿晶体结构。
10.一种形成声波谐振器的方法，包括在由掺杂有铍(Be)、锶(Sr)和钠(Na)中的一种或多种的氮化铝(AlN)形成的压电膜上沉积电极。
11.如权利要求10所述的方法，其中，在所述压电膜上沉积所述电极包含在所述压电膜的顶部表面上沉积第一电极和在所述压电膜的底部表面上沉积第二电极。
12.如权利要求11所述的方法，其中，所述声波谐振器是膜体声波谐振器，并且所述方法还包括在所述压电膜的下表面下方限定空腔。
13.如权利要求11所述的方法，其中，所述声波谐振器是兰姆波谐振器，并且在所述压电膜的所述顶部表面上沉积所述第一电极包括在所述压电膜的所述顶部表面上沉积叉指换能器电极。
14.如权利要求11所述的方法，其中，所述声波谐振器是固定安装的谐振器，并且所述方法还包括在布拉格反射器的顶部表面上形成所述压电膜。
15.一种压电材料，包括掺杂有铍(Be)、锶(Sr)和钠(Na)中的一种或多种的氮化铝(AlN)。
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