[发明专利]单晶硅棒间隙氧含量的测量方法及装置

权利要求书

1.一种单晶硅棒间隙氧含量的测量方法，其特征在于，包括：

沿单晶硅棒的长度方向，利用红外线测量待测单晶硅棒预设位置处的间隙氧含量吸收系数；

获取待测单晶硅棒预设位置处的校准因子；

根据所述校准因子和所述间隙氧含量吸收系数计算所述待测单晶硅棒预设位置处的间隙氧含量；

获取待测单晶硅棒预设位置处的校准因子的步骤包括：

测量基准单晶硅棒预设位置处的间隙氧含量吸收系数；将基准单晶硅棒切割成硅片，对所述预设位置处的硅片进行间隙氧含量测量，得到所述预设位置处的硅片的间隙氧含量；根据所述预设位置处的硅片的间隙氧含量和基准单晶硅棒预设位置处的间隙氧含量吸收系数得到所述基准单晶硅棒预设位置处的校准因子，将所述基准单晶硅棒预设位置处的校准因子作为所述待测单晶硅棒预设位置处的校准因子；或

测量基准单晶硅棒预设位置处的间隙氧含量吸收系数，将基准单晶硅棒切割成硅片，对所述预设位置处的硅片进行间隙氧含量测量，得到所述预设位置处的硅片的间隙氧含量，根据所述预设位置处的硅片的间隙氧含量和基准单晶硅棒预设位置处的间隙氧含量吸收系数得到所述基准单晶硅棒预设位置处的校准因子；更换基准单晶硅棒，重复上述步骤，直至得到N个基准单晶硅棒预设位置处的校准因子，N为大于1的整数；利用N个校准因子的平均值作为所述待测单晶硅棒预设位置处的校准因子；或

获取单晶硅棒的多个固定测量位置与校准因子之间的对应关系，沿单晶硅棒的长度方向，相邻固定测量位置之间间隔预设距离；确定与所述预设位置距离最近的固定测量位置，将所述最近的固定测量位置对应的校准因子作为待测单晶硅棒预设位置处的校准因子。

2.根据权利要求1所述的单晶硅棒间隙氧含量的测量方法，其特征在于，所述获取单晶硅棒的多个固定测量位置与校准因子之间的对应关系包括获取基准单晶硅棒每一固定测量位置对应的校准因子的步骤，所述获取基准单晶硅棒每一固定测量位置对应的校准因子的步骤包括：

测量基准单晶硅棒该固定测量位置处的间隙氧含量吸收系数；

将基准单晶硅棒切割成硅片，对该固定测量位置处的硅片进行间隙氧含量测量，得到该固定测量位置处的硅片的间隙氧含量；

根据该固定测量位置处的硅片的间隙氧含量和间隙氧含量吸收系数得到所述基准单晶硅棒的该固定测量位置处的校准因子。

3.根据权利要求1所述的单晶硅棒间隙氧含量的测量方法，其特征在于，所述获取单晶硅棒的多个固定测量位置与校准因子之间的对应关系包括获取基准单晶硅棒每一固定测量位置对应的校准因子的步骤，所述获取基准单晶硅棒每一固定测量位置对应的校准因子的步骤包括：

测量基准单晶硅棒该固定测量位置处的间隙氧含量吸收系数，将基准单晶硅棒切割成硅片，对该固定测量位置处的硅片进行间隙氧含量测量，得到该固定测量位置处的硅片的间隙氧含量，根据该固定测量位置处的硅片的间隙氧含量和间隙氧含量吸收系数得到所述基准单晶硅棒的该固定测量位置处的校准因子；

更换基准单晶硅棒，重复上述步骤，直至得到N个基准单晶硅棒该固定测量位置处的校准因子，N为大于1的整数；

利用N个校准因子的平均值作为该固定测量位置处的校准因子。

4.根据权利要求1所述的单晶硅棒间隙氧含量的测量方法，其特征在于，所述预设距离为10-20mm。

5.根据权利要求1所述的单晶硅棒间隙氧含量的测量方法，其特征在于，利用红外线测量待测单晶硅棒预设位置处的间隙氧含量吸收系数a_o包括：

a_o＝a_p-a_b

其中，X为单晶硅棒的直径，T_p为波长为1720mm^-1的红外线穿过待测单晶硅棒预设位置处后的红外光谱图的峰值透射率，T_b为所述红外光谱图的基线透射率。